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首页 >品牌目录 >SINO-IC(光宇睿芯)

SINO-IC(光宇睿芯)

网址： http://www.sino-ic.net/

上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

类目：

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封装：

PDFN-8(4.9x5.8)

PQFN-8(4.9x5.8)

更多

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SEDA 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: SMA 描述: 无类目: LED保护编号: 10991937 详细: 数据手册 1+: ￥0.6146 10+: ￥0.5366 30+: ￥0.4976 100+: ￥0.4684 500+: ￥0.445 1000+: ￥0.4333 库存：3973 个个总额:￥0

SE4625 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: DFN-6L-EP(2x2) 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:1.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991936 详细: 数据手册 1+: ￥0.5402 10+: ￥0.4402 30+: ￥0.3902 100+: ￥0.3527 500+: ￥0.3088 1000+: ￥0.2938 库存：2442 个个总额:￥0

FKBA4903 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: DFN-8(5.2x5.5) 描述: 1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):26A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:35.7W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991932 详细: 数据手册 1+: ￥0.8121 10+: ￥0.7092 30+: ￥0.6651 100+: ￥0.6101 500+: ￥0.5856 1000+: ￥0.5709 库存：3236 个个总额:￥0

SE2333 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: SOT-23 描述: 1个P沟道漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):- 功率:1.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991928 详细: 数据手册 1+: ￥0.3177 10+: ￥0.3105 30+: ￥0.3057 100+: ￥0.3009 库存：2204 个个总额:￥0

SE12060GA 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):120V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A 功率:214W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991922 详细: 数据手册 1+: ￥4.29 10+: ￥4.18 50+: ￥4.05 100+: ￥3.98 库存：0 个个总额:￥0

$SE40150$ SE40150 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: TO-263-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,20A 功率:310W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991920 详细: 数据手册 1+: ￥2.58 10+: ￥2.53 30+: ￥2.49 100+: ￥2.46 库存：3 个个总额:￥0

SE60120GTS 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: TO-247S 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A 功率:85W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991915 详细: 数据手册 1+: ￥3.89 10+: ￥3.17 30+: ￥2.82 100+: ￥2.46 500+: ￥2.25 1000+: ￥2.14 库存：0 个个总额:￥0

SE3090K 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,20A 功率:105W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991911 详细: 数据手册 1+: ￥1.0631 10+: ￥0.8573 30+: ￥0.7691 100+: ￥0.6591 500+: ￥0.6101 1000+: ￥0.5807 库存：0 个个总额:￥0

SED14N65G 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: DFN-8(5.7x5.1) 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,1A 功率:156W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991905 详细: 数据手册 1+: ￥4.68 10+: ￥3.83 30+: ￥3.4 100+: ￥2.97 500+: ￥2.66 1000+: ￥2.53 库存：0 个个总额:￥0

SE1003 品牌: SINO-IC(光宇睿芯) 封装: SOT-23 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@10V,1A 功率:1.5W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 10991901 详细: 数据手册 1+: ￥0.4697 10+: ￥0.3817 30+: ￥0.3377 100+: ￥0.3047 600+: ￥0.2717 1200+: ￥0.2585 库存：2791 个个总额:￥0

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