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首页 >品牌目录 >华润华晶

华润华晶

网址： https://www.crmicro.com/

无锡华润华晶微电子有限公司，是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。

类目：

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封装：

TO-220-15(Forming)

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CS4N65A3HD1-G 品牌: 华润华晶封装: TO-251 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A 功率:75W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12001274 详细: 数据手册 1+: ￥1.5593 10+: ￥1.2653 30+: ￥1.1393 100+: ￥0.9821 500+: ￥0.8701 1000+: ￥0.8281 库存：0 个个总额:￥0

PC817MC 品牌: 华润华晶封装: DIP-4 描述: DC 输出类型:光电三极管正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 类目: 晶体管输出光耦编号: 12001270 详细: 数据手册 1+: ￥0.3165 10+: ￥0.2565 30+: ￥0.2265 100+: ￥0.204 500+: ￥0.186 1000+: ￥0.177 库存：4 个个总额:￥0

PC817MB 品牌: 华润华晶封装: DIP-4 描述: DC 输出类型:光电三极管正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 类目: 晶体管输出光耦编号: 12001267 详细: 数据手册 1+: ￥0.3165 10+: ￥0.2565 30+: ￥0.2265 100+: ￥0.204 500+: ￥0.186 1000+: ￥0.177 库存：0 个个总额:￥0

3DD13005GRD 品牌: 华润华晶封装: TO-262-3 描述: NPN 集电极电流(Ic):4A 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率:50W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V 类目: 三极管(BJT) 编号: 12001265 详细: 数据手册 1+: ￥2.1831 10+: ￥1.7715 30+: ￥1.5951 100+: ￥1.375 500+: ￥1.277 1000+: ￥1.2182 库存：149 个个总额:￥0

CS740A8H 品牌: 华润华晶封装: TO-220AB-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,5A 功率:120W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12001261 详细: 数据手册 1+: ￥3.68 10+: ￥3.03 30+: ￥2.71 库存：1 个个总额:￥0

CS4N80A3HD-G 品牌: 华润华晶封装: TO-251 描述: - 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A 功率:100W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12001258 详细: 数据手册 1+: ￥3.16 10+: ￥2.55 30+: ￥2.28 库存：1 个个总额:￥0

CS4N70FA9R 品牌: 华润华晶封装: TO-220F-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.55Ω@10V,2A 功率:30W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12001256 详细: 数据手册 1+: ￥2.41 10+: ￥1.95 50+: ￥1.76 库存：30 个个总额:￥0

CS8N60A8H 品牌: 华润华晶封装: TO-220AB-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4A 功率:110W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 12001253 详细: 数据手册 1+: ￥3.6 10+: ￥2.98 50+: ￥2.68 100+: ￥2.37 500+: ￥2.19 1000+: ￥2.1 库存：168 个个总额:￥0

HGE055NE4A 品牌: 华润华晶封装: SOP-8 描述: - 漏源电压(Vdss):45V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@4.5V,14A 功率:3.1W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11989582 详细: 数据手册 1+: ￥1.2653 10+: ￥1.0267 30+: ￥0.9245 100+: ￥0.7969 500+: ￥0.7401 1000+: ￥0.672 库存：0 个个总额:￥0

GN10N65A4 品牌: 华润华晶封装: TO-252-2 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A 功率:110W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11989577 详细: 数据手册 1+: ￥3.17 10+: ￥2.55 30+: ￥2.29 100+: ￥1.96 500+: ￥1.82 1000+: ￥1.73 库存：0 个个总额:￥0

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