免费注册

收藏网址

|

0755-83665812

|

|

专属客服

甄芯网

BD50FC0FP-E2 ME6216A12XG ME6216A20XG ME6216A30XG ME6216A27M3G

上传BOM

购物车

购物车

×

商品名称	规格	单价	阶梯价格	数量	小计	操作

首页品牌中心 BOM配单爆款专区优秀物料关于我们联系我们

首页 >品牌目录 >NEC(日电电子)

NEC(日电电子)

网址： http://cn.nec.com/

NEC Electronics (NEC,日电电子) NEC公司总部位于日本东京，是全球五大电脑制造商之一，也是为数不多的能够在半导体、电子器件、通讯、计算机外设、图像和计算机领域提供全线产品的公司之一。公司在全球共有38个分公司，负责产品的生产和销售。

类目：

更多

封装：

更多

综合排序价格库存

-

-

清空

符合条件商品：共69件

型号/品牌/封装参数类别/数据手册价格阶梯(含税) 库存交期数量操作

NP82N055NUG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-262 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,41A 功率:1.8W；143W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11609355 详细: 数据手册 1+: ￥13.1 200+: ￥5.07 500+: ￥4.89 1000+: ￥4.81 库存：0 个个总额:￥0

NP80N04NLG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-262 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,40A 功率:115W；1.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11609350 详细: 数据手册 1+: ￥12.24 200+: ￥4.74 500+: ￥4.57 1000+: ￥4.49 库存：0 个个总额:￥0

NP82N04NLG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-262 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,41A 功率:1.8W；143W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11609345 详细: 数据手册 1+: ￥15.46 200+: ￥5.99 500+: ￥5.78 1000+: ￥5.67 库存：0 个个总额:￥0

NP82N06NLG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-262 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.4mΩ@10V,41A 功率:1.8W；143W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11609334 详细: 数据手册 1+: ￥14.82 200+: ￥5.74 500+: ￥5.53 1000+: ￥5.44 库存：0 个个总额:￥0

NP82N04MDG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-220-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,41A 功率:1.8W；143W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11606468 详细: 数据手册 1+: ￥14.38 200+: ￥5.57 500+: ￥5.37 900+: ￥5.28 库存：0 个个总额:￥0

NP80N055MDG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.9mΩ@10V,40A 功率:115W；1.8W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11606070 详细: 数据手册 1+: ￥11.45 200+: ￥4.43 500+: ￥4.28 1000+: ￥4.2 库存：0 个个总额:￥0

NP82N04NDG-S18-AY 品牌: NEC(日电电子) 封装: LDPAK-3 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):82A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,41A 功率:1.8W；143W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11599512 详细: 数据手册 1+: ￥14.38 200+: ￥5.57 500+: ￥5.37 1000+: ￥5.28 库存：0 个个总额:￥0

NP32N055HLE-AZ 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-251 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@5V,16A 功率:66W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11578009 详细: 数据手册 1+: ￥5.45 200+: ￥2.11 500+: ￥2.04 1000+: ￥2 库存：0 个个总额:￥0

FS70UMJ-06F 品牌: NEC(日电电子) 封装: TO-220 描述: 1个N沟道漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,36A 功率:125W 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11577947 详细: 数据手册 1+: ￥20.38 200+: ￥7.89 500+: ￥7.61 1000+: ￥7.48 库存：0 个个总额:￥0

2SK4028-T1-A 品牌: NEC(日电电子) 封装: SOT-723 描述: 20V 连续漏极电流(Id):- 功率:100mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 输入电容(Ciss@Vds):4pF 类目: 场效应管(MOSFET) 编号: 11577387 详细: 数据手册 1+: ￥1.431 200+: ￥0.5538 500+: ￥0.5343 1000+: ￥0.5247 库存：0 个个总额:￥0

海量现货

56万现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

友情链接

© 2025 深圳市佳芯恒业科技有限公司版权所有

登陆

立即注册

账号

请输入有效的账号信息

密码

请输入密码

下次自动登录忘记密码

在线客服

QQ咨询

0755-83665812

微信咨询

二维码

工作日 8:30-20:30
节假日 8:30-18:00

收起

展开客服