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对比
G3R30MT12J
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TO-263-7
- 品牌名称GeneSiC Semiconductor
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商品型号
G3R30MT12J -
商品编号
G3R30MT12J -
商品封装
TO-263-7 -
分类
碳化硅场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 96A | |
| Pd-功耗 | 459W |
梯度
售价
1+￥299.01
200+￥115.72
500+￥111.65
1000+￥109.64
库存总量
(单位：0个)-
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起订量：1 个
0755-83665812