TLP155E(TPL,E
发布时间：2018/5/3
概述
TLP155E是一款SO6封装IC耦合器，能够直接驱动一个小容量IGBT或功率MOSFET。保证传输延时为200 ns(最大值)，能够通过高速脉宽调制(PWM)驱动IGBT/功率MOSFET。这款产品的保证传输延迟偏差为85 ns(最大值)，有助于缩短死区时间，并提高变频器、PDP保持电路等的效率。TLP155E采用小型SO6封装，因此其安装面积比现有型号TLP705(SDIP6)小30%左右，同时符合国际安全标准的强化绝缘等级。本产品可用于各种产品，包括工业设备、数字家用电器、测量设备和控制设备。
特点
传输延时: tpLH,tpHL=200ns(最大值)
传输延时变化: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)
传输延迟偏差: tpsk=85ns(最大值)
图腾柱输出
最高输出电流: IOP=±0.6A
输入电流: IFLH=7.5mA(最大值)
耐压: BVs=3750Vrms
产品规格
特性：0.6一个峰值电流、低斜
应用范围：逆变器、光伏逆变器、等离子体显示面板
函数：IGBT驱动
数量的电路：1
RoHS兼容的产品(s)(#)：可用
封装产地：泰国
TLP155E是一款SO6封装IC耦合器，能够直接驱动一个小容量IGBT或功率MOSFET。保证传输延时为200 ns(最大值)，能够通过高速脉宽调制(PWM)驱动IGBT/功率MOSFET。这款产品的保证传输延迟偏差为85 ns(最大值)，有助于缩短死区时间，并提高变频器、PDP保持电路等的效率。TLP155E采用小型SO6封装，因此其安装面积比现有型号TLP705(SDIP6)小30%左右，同时符合国际安全标准的强化绝缘等级。本产品可用于各种产品，包括工业设备、数字家用电器、测量设备和控制设备。
特点
传输延时: tpLH,tpHL=200ns(最大值)
传输延时变化: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)
传输延迟偏差: tpsk=85ns(最大值)
图腾柱输出
最高输出电流: IOP=±0.6A
输入电流: IFLH=7.5mA(最大值)
耐压: BVs=3750Vrms
产品规格
特性：0.6一个峰值电流、低斜
应用范围：逆变器、光伏逆变器、等离子体显示面板
函数：IGBT驱动
数量的电路：1
RoHS兼容的产品(s)(#)：可用
封装产地：泰国
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