LTC4354CDDB
发布时间：2018/5/22
概述
LTC4354CDDB是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。
首次上电时，MOSFET 体二极管负责传导负载电流，直到传输晶体管接通为止。LTC4354CDDB 负责维持传输晶体管两端的电压降，以确保从一个晶体管到另一个晶体管的平滑电流转换，而且并无振荡。
当对应的电源发生故障或短路时，MOSFET 将在不到 1μs 的时间内关断。这种快速关断可避免反向电流达到有可能损坏传输晶体管的水平。
若发生 MOSFET 短路、MOSFET 开路或电源故障时，则具有一个能够驱动 LED 或光耦合器之漏极开路输出的故障检测电路将发出指示信号。
特点
用于控制 N 沟道 MOSFET
可替代功率肖特基二极管
< 1μs 的关断时间可限制峰值故障电流
80V 工作电压
实现了无振荡的平滑切换
无反向 DC 电流
故障输出
可选的故障门限
采用 8 引脚 (3mm x 2mm) DFN 封装和 8 引脚 SO 封装
应用
AdvancedTCA 系统
计算机系统 / 服务器
电信基础设施
光网络
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