LTC4358CDE
发布时间：2018/5/22
概述
LTC4358CDE是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358CDE降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。
LTC4358CDE 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358CDE 负责调节内部 MOSFET 两端的正向电压降，以确保从一条通路至另一条通路的无振荡平滑电流转换。如果电源发生故障或短路，则快速关断操作将能够最大限度地减小反向电流瞬变。
特点
可替代一个功率肖特基二极管
内部 20mΩ N 沟道 MOSFET
0.5μs 的关断时间以限制峰值故障电流
工作电压范围：9V 至 26.5V
实现了无振荡的平滑切换
无反向 DC 电流
采用 14 引脚 (4mm x 3mm) DFN 和 16 引脚 TSSOP 封装
应用
N+1 冗余电源
高可用性系统
电信基础设施
汽车系统
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