LTC4359CDCB
发布时间：2018/5/22
概述
LTC4359CDCB 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式，用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。
当在高电流二极管应用中使用时，LTC4359CDCB 可减低功耗、热耗散、电压损耗和 PC 板占用面积。凭借其宽工作电压范围、反向输入电压承受能力和高额定温度，LTC4359CDCB 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。另外，LTC4359CDCB 还能容易地在具有冗余电源的系统中对电源进行 “或” 操作。
特点
通过取代功率肖特基二极管降低了功率耗散
宽工作电压范围：4V 至 80V
反向输入保护至 –40V
9μA 的低停机电流
150μA 的低工作电流
无振荡的平滑切换
控制单个或背对背的 N 沟道 MOSFET
采用 6 引脚 (2mm x 3mm) DFN 封装和 8 引脚 MSOP 封装
应用
汽车电池保护
冗余电源
电源保持
电信基础设施
计算机系统 / 服务器
太阳能系统
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