LTC4440IMS8E
发布时间：2018/5/26
概述
LTC4440IMS8E是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440ES6-5还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440IMS8E的上拉电路具有 1.1A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.85Ω 的输出阻抗。
LTC4440IMS8E具有独立于电源的 TTL/CMOS 兼容型输入门限和 350mV 迟滞。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 95V 的电压条件下运行。
LTC4440IMS8E专为驱动 (5V) 逻辑电平 FET 而设计，并且包含一个欠压闭锁电路，此电路在被启动时将停用外部 MOSFET。
LTC4440IMS8E采用扁平 (高度仅 1mm) SOT-23 封装或耐热性能增强型 8 引脚 MSOP 封装。
特点
宽工作 VIN 范围：高达 60V
坚固型架构可耐受 80V VIN 瞬变
强大的 1.85Ω 驱动器下拉电阻 (采用 6V 电源)
强大的 1.1A 峰值电流驱动器上拉电流 (采用 6V 电源)
7ns 下降时间驱动 1000pF 负载
10ns 上升时间驱动 1000pF 负载
可驱动标准门限 MOSFET
具迟滞的 TTL/CMOS 兼容型输入
输入门限独立于电源
欠压闭锁
扁平 (高度仅 1mm) 的 SOT-23 (ThinSOT?) 封装和耐热性能增强型 8 引脚 MSOP 封装
应用
电信电源系统
分布式电源架构
服务器电源
高密度电源模块
通用型低端驱动器
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