LTC4441ES8-1
发布时间：2018/5/26
概述
LLTC4441ES8-1 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。
LTC4441ES8-1 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强制芯片进入电源电流 <12μA的停机模式。欠压闭锁和过热保护电路将在启动时停用驱动器输出。LTC4441ES8-1 还具有一个漏极开路输出，该输出负责提供可调的前沿脉冲消隐，以防止在检测功率 MOSFET 的源极电流时产生振铃。
LTC4441ES8-1 采用耐热性能增强型 10 引脚 MSOP 封装。LTC4441ES8-1 是不具备脉冲消隐功能的 SO-8 封装版本。
特点
6A峰值输出电流
宽 VIN 电源范围：5V 至 25V
可调栅极驱动电压：5V至 8V
逻辑输入可被驱动至低于地电位
30ns 传播延迟
独立于电源的 CMOS / TTL 输入门限
欠压闭锁
低停机电流：<12μA
过热保护
用于 MOSFET 的电流检测信号的可调消隐时间 (LTC4441)
采用 SO-8 封装和 10 引脚 MSOP (裸露衬垫) 封装
应用
电源
电动机/ 继电器控制
线路驱动器
充电泵
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