LTC4442EMS8E
发布时间：2018/5/26
概述
LTC4442EMS8E 是一款高频栅极驱动器，专为利用一种同步降压型 DC/DC 转换器拓扑结构来驱动两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4442EMS8E 具有一个用于输入逻辑电路的分离电源，以实现与控制器 IC 信号摆幅的匹配。如果输入信号未处于被驱动的状态，则LTC4442EMS8E 将启动一种停机模式，该模式把两个外部 MOSFET 全部关断。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 42V 的电压条件下运行。
LTC4442EMS8E 在驱动器和逻辑电源上均设有欠压闭锁电路，当存在欠压条件时，这些电路将关断外部 MOSFET。LTC4442EMS8E 和 LTC4442-1 具有不同的欠压闭锁门限，以适应各种各样的应用。另外还内置了一种自适应贯通保护功能，用于防止因 MOSFET 交叉传导电流而造成功率损失。
LTC4442EMS8E 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
特点
宽 VCC 范围：6V 至 9.5V
38V 最大输入电源电压
自适应贯通保护
2.4A 峰值上拉电流
5A 峰值下拉电流
8ns TG 下降时间驱动 3000pF 负载
12ns TG 上升时间驱动 3000pF 负载
采用分离电源以匹配 PWM 控制器
驱动双 N 沟道 MOSFET
具欠压闭锁功能
耐热增强型 MSOP 封装
应用
分布式电源架构
高密度电源模块
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