LTC4444IMS8E
发布时间：2018/5/26
概述
LTC4444IMS8E是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4444IMS8E针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4444IMS8E包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444IMS8E还内置了自适应贯通保护功能，用于阻止两个 MOSFET 同时传导。
特点
自举电源电压至 114V
宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
自适应贯通保护功能
2.5A 峰值 TG 上拉电流
3A 峰值 BG 上拉电流
1.2Ω TG 驱动器下拉电阻
0.55Ω BG 驱动器下拉电阻
5ns TG 下降时间驱动 1nF 负载
8ns TG 上升时间驱动 1nF 负载
3ns BG 下降时间驱动 1nF 负载
6ns BG 上升时间驱动 1nF 负载
可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
欠压闭锁功能
耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
应用
分布式电源架构
汽车电源
高密度电源模块
电信
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