LTC4446EMS8E
发布时间：2018/5/26
概述
LTC4446EMS8E 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446EMS8E 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。
LTC4446EMS8E 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4446EMS8E 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。
LTC4446EMS8E 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
特点
自举电源电压高至 114V
宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
2.5A 峰值顶端栅极上拉电流
3A 峰值底端栅极上拉电流
1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
具欠压闭锁功能
耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
应用
分布式电源架构
汽车电源
高密度电源模块
电信系统
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