LTC4449IDCB
发布时间：2018/5/26
概述
LTC4449IDCB是一款高频栅极驱动器，专为驱动一个同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的轨至轨驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4449IDCB 具有一个用于输入逻辑电路的单独电源，以与控制器 IC 的信号摆幅相匹配。如果输入信号未被驱动，则 LTC4449IDCB 将启动一种停机模式，该模式把两个外部 MOSFET 全部关断。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 42V 的电压条件下运行。
LTC4449IDCB 在驱动器和逻辑电源上均包含欠压闭锁电路，当出现欠压情况时，该电路将关断外部 MOSFET。LTC4449IDCB还内置了一种自适应贯通保护功能，用于防止因 MOSFET 交叉传导电流而引起功率损耗。
LTC4449IDCB采用 2mm x 3mm DFN 封装。
特点
4V 至 6.5V VCC 工作电压
38V 最大输入电源电压
自适应贯通保护
轨至轨输出驱动器
3.2A 峰值上拉电流
4.5A 峰值下拉电流
8ns TG 上升时间驱动 3000pF 负载
7ns TG 下降时间驱动 3000pF 负载
采用单独的电源以匹配 PWM 控制器
驱动双路 N 沟道 MOSFET
欠压闭锁
扁平 (高度仅 0.75mm) 2mm x 3mm DFN 封装
应用
分布式电源架构
高密度电源模块
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