TOSHIBA车规级40V N沟道功率MOSFET TPHR7904PB
发布时间：2018/8/23
采用小型低电阻封装，实现更低的导通电阻
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。
这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI(电磁干扰)。SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构，支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)应用场合电动助力转向系统(EPS)负载开关电动泵特点由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装，实现了0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)。低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。采用可沾锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。
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