概述

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为?40°C至+125°C扩展工业温度范围。

特点

低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V输出）

无需外部电容

低温度系数

A级：10 ppm/°C（最大值）

B级：3 ppm/°C（最大值）

负载调整率：15 ppm/mA

电压调整率：20 ppm/V

宽工作温度范围：4.5 V至18 V

欲了解更多特性，请参考数据手册

ADR431-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

下载ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)

军用温度范围（?55℃至+125℃）

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

V62/11602 DSCC图纸号

应用

精密数据采集系统

高分辨率数据转换器

医疗仪器

工业过程控制系统

光学控制电路

精密仪器