LTC1155IN8
发布时间：2018/5/26
概述
LTC1155IN8 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。
在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增加一个与电流检测相串联的延时，以防止在高浪涌电流负载 (例如：电容器和白炽灯) 上引起误触发。
LTC1155IN8采用一个 4.5V 至 18V 电源输入运作，并可安全地驱动几乎所有 FET 的栅极。LTC1155IN8非常适合于低电压 (电池供电型) 应用，特别是在需要微功率“睡眠”操作的场合。
LTC1155 可提供 8 引脚 PDIP 封装和 8 引脚 SO 封装。
特点
全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
8μA 待机电流
85μA 导通电流
短路保护
宽电源范围：4.5V 至 18V
受控接通和关断时间
无外部充电泵组件
可替代 P 沟道高端 MOSFET
可兼容标准逻辑器件系列
采用 8 引脚 SO 封装
应用
笔记本电脑电源总线切换
SCSI 终端电源转换
蜂窝电话电源管理
替代 P 沟道开关
继电器和螺线管驱动器
低频半 H 桥
电机转速和转矩控制
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