LTC1157CS8
发布时间：2018/5/26
概述
LTC1157CS8双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。
LTC1157CS8 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (对于 3.3V 高压侧应用) 和一个标准 N 沟道开关 (对于 3.3V 低压侧应用)。在 5V 时的栅极驱动电压通常高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因此标准 N 沟道 MOSFET 开关可用于高压侧和低压侧应用。
微功率操作 (具有 3μA 待用电流和 80μA 工作电流) 使 LTC1157CS8 非常适合电池供电型应用。
LTC1157 可提供 8 引脚 DIP 封装 SOIC 封装。
特点
可提供最低压降 3.3V 电源切换
可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作
3μA 待用电流
80μA 导通电流
驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET
无外部充电泵组件
受控接通和关断时间
可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器件系列
采用 8 引脚 SOIC 封装
应用
笔记本电脑电源管理
掌上型电脑电源管理
替代 P 沟道开关
电池充电和管理
混合式 5V 和 3.3V 电源切换
步进电机和 DC 电机控制
蜂窝电话和寻呼机
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