概述

ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 ?，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。

接通时，ADG849的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。

ADG849提供6引脚小型SC70封装，因而非常适合空间受限的应用。

特点

超低导通电阻：

0.5 ?（典型值）

小于0.8 ?（最大值，5 V电源）

出色的失真性能：

0.01 ?（典型值）

0.2 ?（最大值，导通电阻RON 平坦度）

单电源：+1.8 V至+5.5 V

高载流能力: 

400mA （连续电流）

600mA （峰值电流，5V）

扩展温度范围：+125°

轨到轨工作

典型功耗：<0.01 μW

TTL/CMOS兼容型输入