LTC4352IMS
发布时间：2018/5/22
概述
LTC4352IMS采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。
LTC4352IMS负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “或” 应用中确保平滑的电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或被短路，则快速关断将最大限度地减小反向电流。
该控制器可采用 2.9V 至 18V 的工作电源。当电压较低时，需要在 VCC 引脚上布设一个外部电源。在欠压或过压条件下，电源通路被禁用。这款控制器还具有一个开路 MOSFET 检测电路，如果在接通状态中传输晶体管两端的电压降过大，则该检测电路将发出指示信号。一个 REV 引脚用于启用反向电流，在需要的时候可取代二极管的作用。
特点
功率二极管的低损耗型替代方案
用于控制 N 沟道 MOSFET
0V 至 18V 电源 “或” 或保持
0.5μs 接通和关断时间
欠压和过压保护功能
开路 MOSFET 检测
状态和故障输出
可热插拔
反向电流启用输入
12 引脚 MSOP 和 DFN (3mm x 3mm) 封装
Applications
冗余电源
电源保持
电信基础设施
电脑系统和服务器
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