LTC3831IGN
发布时间：2018/7/18
概述
LTC3831IGN 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831IGN 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831IGN 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。
LTC3831IGN 可在输入电源电压低至 3V 的条件下运作，并具有一个 >91% 的最大占空比。该器件包括一个固定频率 PWM 振荡器，用于实现低输出纹波操作。300kHz 的自由运行时钟频率可从外部进行调节，或利用一个外部信号进行同步处理 (同步范围为 100kHz 至高于 500kHz)。在停机模式中，LTC3831IGN 的电源电流降至 <10μA。
特点
VOUT低至 0.4V
用于 DDR 存储器终端的高功率开关稳压控制器
VOUT跟踪 1/2 of VIN或外部VREF
无需电流检测电阻器
低 VCC 电源：3V 至 8V
在整个温度范围内的最大占空比 >91%
驱动全 N 沟道外部 MOSFET
高效率：达 95%
可编程固定频率操作：100kHz 至 500kHz
外部时钟同步操作
可编程软启动
低停机电流：<10μA
过热保护
采用 16 引脚窄体 SSOP 封装
应用
DDR SDRAM 终端
SSTL_2、SSTL_3 接口
高速收发逻辑 (HSTL) 接口
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