概述

HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+26 dBm（34% PAE时），电源电压为+3V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+15 dBm OFDM输出功率（64 QAM，54 Mbps），HMC415LP3(E)可实现3.7%的误差矢量幅度(EVM)，从而满足802.11a线性度要求。

特点

增益： 20 dB

34% PAE (Psat = +26 dBm)

3.7% EVM (Pout = +15 dBm)

具有54 Mbps OFDM信号

电源电压： +3 V

省电功能

外部器件数量少

应用

802.11a WLAN

HiperLAN WLAN

接入点

UNII和ISM无线电