概述

ADG419是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。

ADG419的导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保其拥有出色的线性度和低失真性能。该器件还提供高开关速度和高信号带宽。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供电仪表。

接通时，ADG419的各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。ADG419为先开后合式开关。

ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。

特点

最大额定电源电压：44 V

模拟信号范围：VSS 至 VDD

低导通电阻：<35 Ω

超低功耗：< 35 μW

快速转换时间：160 ns（最大值）

先开后合式开关动作

DG419的直接替代产品

ADG419-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）。

下载ADG419-EP 数据手册(pdf)

军用温度范围：-55℃至+125℃

受控制造基线

唯一封装/测试厂

唯一制造厂

增强型产品变更通知

认证数据可应要求提供

V62/10615 DSCC图纸号

应用

精密测试设备

精密仪器

模拟处理

电池供电系统

采样保持系统