概述

ADG636是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为10 pA。此外，它的典型导通电阻为85 Ω，两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关，采用14引脚TSSOP封装。

产品聚焦 

1. 超低电荷注入。QINJ：±1.5 pC（典型值，整个信号范围）

2. 漏电流<0.25 nA（最大值，85oC）

3. 双电源（±2.7 V至±5 V）或单电源（+2.7 V至+5.5 V）供电

4. 汽车应用温度范围：?40°C至+125°C

5. 小型14引脚TSSOP封装

特点

1 pC 电荷注入

±2.7 V至±5.5 V双电源供电

+2.7 V至+5.5 V单电源供电

汽车应用温度范围： 

–40°C 至 +125°C

100 pA（最大值，25°C）漏电流

导通电阻：85 Ω典型值

轨到轨工作

快速开关时间

典型功耗：<0.1 μW

TTL/CMOS兼容型输入

14引脚TSSOP封装

应用 

- 自动测试设备

- 数据采集系统

- 电池供电仪表

- 通信系统

- 采样保持系统

- 远程供电设备

- 音频和视频信号路由

- 继电器替代方案

- 航空电子