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LSGE06R046HWB

  • TO-263-2

  • 品牌名称LONTEN(龙腾半导体)
  • 商品型号

    LSGE06R046HWB
  • 商品编号

    LSGE06R046HWB
  • 商品封装

    TO-263-2
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 -
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 104A
导通电阻(RDS(on)) 4.6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd) 89W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 48nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 3.511nF@30V
反向传输电容(Crss) 67pF@30V
工作温度 -55℃~+150℃
暂无内容图标

参数完善中

数据手册PDF

梯度
售价
1+¥4.1
10+¥3.4
30+¥3.06
100+¥2.71
500+¥2.5
800+¥2.4

库存总量

(单位:291个)
  • 仓库库存数量

    291

购买数量

起订量:1 个
总价金额: 4.1

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