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对比
HB100N08(CEE)
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TO-263
- 品牌名称HL(豪林)
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商品型号
HB100N08(CEE) -
商品编号
HB100N08(CEE) -
商品封装
TO-263 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,40A | |
| 功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.053nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 145pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
参数完善中
梯度
售价
1+￥3.81
10+￥3.15
50+￥2.81
100+￥2.48
500+￥2.14
1000+￥2.04
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量：1 个
0755-83665812 
