概述 AD7663基于Pulsar内核，是一款双极性16位、250 kSPS电荷再分配SAR型模数转换器（ADC），采用5 V单电源供电。它内置一个高速16位采样ADC、一个接受各种输入范围的电阻器输入标量、一个内部转换时钟、纠错电路，以及串行和并行系统接口。 特点 吞吐量：250 kSPS INL：最大值±3 LSB（满量程的±0.0046%） 16位分辨率、无失码 S/（N+D）：90 dB（..

概述 AD7663基于Pulsar内核，是一款双极性16位、250 kSPS电荷再分配SAR型模数转换器（ADC），采用5 V单电源供电。它内置一个高速16位采样ADC、一个接受各种输入范围的电阻器输入标量、一个内部转换时钟、纠错电路，以及串行和并行系统接口。 特点 吞吐量：250 kSPS INL：最大值±3 LSB（满量程的±0.0046%） 16位分辨率、无失码 S/（N+D）：90 dB（..

概述 AD7663基于Pulsar内核，是一款双极性16位、250 kSPS电荷再分配SAR型模数转换器（ADC），采用5 V单电源供电。它内置一个高速16位采样ADC、一个接受各种输入范围的电阻器输入标量、一个内部转换时钟、纠错电路，以及串行和并行系统接口。 特点 吞吐量：250 kSPS INL：最大值±3 LSB（满量程的±0.0046%） 16位分辨率、无失码 S/（N+D）：90 dB（..

概述 AD7661是一款16位、100 kSPS、电荷再分配SAR型模数转换器（ADC），采用5 V单电源供电。该器件内置一个16位高速采样ADC、一个内部转换时钟、一个内部基准电压、纠错电路，以及串行和并行系统接口。 该器件使用ADI公司的0.6微米高性能CMOS工艺制造，成本很低；可提供48引脚LQFP和48引脚小型LFCSP两种封装；工作温度范围为?40°C至+85°C。 特点 2.5 V内..

概述 AD7660是一款16位、100 kSPS、电荷再分配SAR模数转换器(ADC)，采用5 V单电源供电。 该器件内置一个内部转换时钟、纠错电路以及串行和并行系统接口端口。 AD7660经过出厂硬件校准和全面测试，可确保除一般直流参数（增益、偏置和线性度）之外，诸如信噪比(SNR)和总谐波失真(THD)等交流参数也合乎要求。 该器件使用ADI公司的0.6微米高性能CMOS工艺制造，成本很低；可..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1 分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本，均内置6个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS? 工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1 分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本，均内置6个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用 iCMOS? 工艺（工业级CMOS）设计。 iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1 分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本，均内置6个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用 iCMOS? 工艺（工业级CMOS）设计。 iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本， 均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可..

概述 AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本， 均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性..

概述 AD7656A内置六个16位、快速、低功耗、逐次逼近型模数转换器(ADC)，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS元件不但可以输入双极性信号，同时还..

概述 AD7656A-1是AD7656A降低去耦要求的引脚和软件兼容版本， 内置六个16位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS?工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术相结合的工艺。 通过这种工艺，可开发在33V高压下工作的高性能模拟IC，其体积性能比是以往的高压器件所无法实现的。 与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iC..

概述 AD7655是一款低成本、同步采样、双通道、16位、电荷再分配SAR模数转换器，采用5 V单电源供电。该器件内置两个低噪声、宽带宽、可同步采样的采样保持放大器、一个16位高速采样ADC、一个内部转换时钟、纠错电路以及串行和并行系统接口端口。每个采样保持放大器前方都含一个多路复用器，以提供4通道输入ADC。A0多路复用器控制输入允许选择同步采样输入对INA1/INB1（A0 = 低）或INA2..