ADUM131E1BRWZ发布日期：2019/1/8 点击：95概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E 是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E 是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E 是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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概述 The ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道..
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概述 The ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道..
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概述 The ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道..
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概述 The ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司 iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler 器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司 iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler 器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司 iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler 器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些i..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些i..
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概述 ADuM131x是采用ADI公司iCoupler? 技术的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、最大工作温度和使用寿命影响等问题。这些i..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。 ADu..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。 ADu..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。 ADu..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler的三通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。 ADu..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。 这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。 这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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概述 ADuM130D/ADuM130E/ADuM131D/ADuM131E是采用ADI公司iCoupler?技术的三通道数字隔离器。 这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 这些器件的最大传播延迟为13 ns，在5 V下脉冲宽度失真小于3 ns。 具有严格的3.0 ns（最大值）通道匹配。..
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