概述LT1122DCN8 JFET 输入运算放大器兼具高速度和精准性能。 一种独特的多栅 JFET 工艺最大限度地减小了栅极串联电阻和栅极至漏极电容，有利于实现宽带宽性能，并且不会损害 JFET 晶体管匹配。 该器件的摆率为80V/μs，并可在 340ns 的时间里实现稳定。LT1122DCN8 在内部进行补偿以获得稳定的单位增益，而且其在电源电流仅为 7mA 的情况下拥有一个 14MHz 的带宽..

概述LT1122CS8 JFET 输入运算放大器兼具高速度和精准性能。 一种独特的多栅 JFET 工艺最大限度地减小了栅极串联电阻和栅极至漏极电容，有利于实现宽带宽性能，并且不会损害 JFET 晶体管匹配。 该器件的摆率为80V/μs，并可在 340ns 的时间里实现稳定。LT1122CS8 在内部进行补偿以获得稳定的单位增益，而且其在电源电流仅为 7mA 的情况下拥有一个 14MHz 的带宽。L..

概述LT1122CCN8 JFET 输入运算放大器兼具高速度和精准性能。 一种独特的多栅 JFET 工艺最大限度地减小了栅极串联电阻和栅极至漏极电容，有利于实现宽带宽性能，并且不会损害 JFET 晶体管匹配。 该器件的摆率为80V/μs，并可在 340ns 的时间里实现稳定。LT1122CCN8 在内部进行补偿以获得稳定的单位增益，而且其在电源电流仅为 7mA 的情况下拥有一个 14MHz 的带宽..

概述LT1122ACN8 JFET 输入运算放大器兼具高速度和精准性能。 一种独特的多栅 JFET 工艺最大限度地减小了栅极串联电阻和栅极至漏极电容，有利于实现宽带宽性能，并且不会损害 JFET 晶体管匹配。 该器件的摆率为80V/μs，并可在 340ns 的时间里实现稳定。LT1122ACN8 在内部进行补偿以获得稳定的单位增益，而且其在电源电流仅为 7mA 的情况下拥有一个 14MHz 的带宽..

概述LT1115CSW 是市面上噪声最低的音频运算放大器。这种超低噪声性能 (在 1kHz 时为 0.9nV/√Hz) 与高转换速率 (>15V/μs) 和非常低的失真规格指标组合在一起。 下面所示采用 LT1115CSW 的 RIAA 电路具有低失真且偏离理想 RIAA 响应曲线的幅度极小 (见曲线图)。 特点电压噪声：1.2nV/√Hz (在 1kHz 时的最大值)0.9nV/√Hz (..

概述LT1115CN8 是市面上噪声最低的音频运算放大器。这种超低噪声性能 (在 1kHz 时为 0.9nV/√Hz) 与高转换速率 (>15V/μs) 和非常低的失真规格指标组合在一起。 下面所示采用 LT1115CN8 的 RIAA 电路具有低失真且偏离理想 RIAA 响应曲线的幅度极小 (见曲线图)。 特点电压噪声：1.2nV/√Hz (在 1kHz 时的最大值)0.9nV/√Hz (..

概述LT1112 双通道和 LT1114S 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112 / LT1114S 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112 / LT1114S ..

概述LT1112 双通道和 LT1114IS 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112 / LT1114IS 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112 / LT1114..

概述LT?1112 双通道和 LT1114IN 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112 / LT1114IN 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112 / LT111..

概述LT?1112 双通道和 LT1114CN 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112 / LT1114CN 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112 / LT111..

概述LT?1112 双通道和 LT1114ACN 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112 / LT1114ACN 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112 / LT1..

概述LT1113CS8 为双通道 JFET 运放实现了一种新的卓越噪声性能标准。4.5nV/√Hz 1kHz 噪声加上低电流噪声和微微安级偏置电流使得 LT1113CS8 成为用于对来自高阻抗电容式传感器之低电平信号进行放大的理想选择。 对于数值为 1 或更大的增益，LT1113CS8 可实现无条件稳定，即使在负载电容高达 1000pF 时也不例外。该器件的其他主要特点包括 0.4mV VOS 和..

概述LT1112S8 双通道和 LT1114 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112S8 / LT1114 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112S8 / LT11..

概述LT1112MPS8 双通道和 LT1114 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112MPS8 / LT1114 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112MPS8 ..

概述LT1112IS8 双通道和 LT1114 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112IS8 / LT1114 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112IS8 / L..

概述LT1112CN8 双通道和 LT1114 四通道运放在组合低成本和出众精准度规格方面创立了新的标准。 精选的最优等级器件之性能可媲美或超过同类竞争器件。不过，在 LT1112CN8 / LT1114 的设计中，特别注重的是优化低成本塑料封装和 SO 封装中的性能。例如，在这些低成本封装中提供的 75μV 最大失调电压是所有双通道或四通道非斩波器运放中最低的。 另外，LT1112CN8 / L..

概述LT1102CN8 是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装的快速 FET 输入仪表放大器。该器件提供了 10 和 100 的固定增益以及超卓的增益准确度 (0.01%) 和非线性度 (3ppm)。无需外部增益设定电阻器。 与同类竞争的高速仪表放大器相比，转换速率、稳定时间、增益-带宽乘积、过驱动恢复时间均有所改善。 业界最佳的速度性能与令人印象深刻的精准度指标组合在一起：小于 10pA 的..

概述LT1101SW 建立了以下的里程碑：(1) 它是首款微功率仪表放大器，(2) 它是首款单电源仪表放大器，(3) 它是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装并具有 10 和 / 或 100 固定增益的仪表放大器。 LT1101SW 是完全独立的：无需外部增益设定电阻器。LT1101SW 将其微功率操作 (75μA 电源电流) 与 0.008% 增益误差、3ppm 增益线性度、1ppm/°C ..

概述LT1101ISW 建立了以下的里程碑：(1) 它是首款微功率仪表放大器，(2) 它是首款单电源仪表放大器，(3) 它是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装并具有 10 和 / 或 100 固定增益的仪表放大器。 LT1101ISW 是完全独立的：无需外部增益设定电阻器。LT1101ISW 将其微功率操作 (75μA 电源电流) 与 0.008% 增益误差、3ppm 增益线性度、1ppm/..

概述LT1101IN8 建立了以下的里程碑：(1) 它是首款微功率仪表放大器，(2) 它是首款单电源仪表放大器，(3) 它是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装并具有 10 和 / 或 100 固定增益的仪表放大器。 LT1101IN8 是完全独立的：无需外部增益设定电阻器。LT1101IN8 将其微功率操作 (75μA 电源电流) 与 0.008% 增益误差、3ppm 增益线性度、1ppm/..