概述LT3970IDDB-3.3 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二..

概述LT3970IDDB 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极管电流..

概述LT3970HMS 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极管电流限..

概述LT3970EMS-5 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极管电..

概述LT3970EMS-3.3 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极..

概述LT3970EMS 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极管电流限..

概述LT3970EDDB-3.3 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二..

概述LT3970EDDB 是一款可调频率、单片式、降压型开关稳压器，可接受一个高达 40V 的宽输入电压范围，且仅消耗 2.5μA 的静态电流。芯片上内置了一个高效率开关和箝位二极管、升压二极管以及必需的振荡器、控制器和逻辑电路。低纹波突发模式操作在低输出电流条件下保持了高效率，并在典型应用中将输出纹波抑制在 5mV 以下。电流模式拓扑结构用于实现快速瞬态响应和上佳的环路稳定性。一个箝位二极管电流..

概述LT3959IUHE 是一款宽输入范围、电流模式、DC/DC 控制器，该器件能够利用单个反馈引脚调节正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、SEPIC 或负输出转换器。 LT3959IUHE 具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET (额定在 6A 和40V)，并采用一个由 VIN 或 DRIVE 提供的内部稳定电源来驱动。固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内..

概述LT3959IFE 是一款宽输入范围、电流模式、DC/DC 控制器，该器件能够利用单个反馈引脚调节正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、SEPIC 或负输出转换器。 LT3959IFE 具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET (额定在 6A 和40V)，并采用一个由 VIN 或 DRIVE 提供的内部稳定电源来驱动。固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现..

概述LT3959EUHE 是一款宽输入范围、电流模式、DC/DC 控制器，该器件能够利用单个反馈引脚调节正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、SEPIC 或负输出转换器。 LT3959EUHE 具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET (额定在 6A 和40V)，并采用一个由 VIN 或 DRIVE 提供的内部稳定电源来驱动。固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内..

概述LT3959EFE 是一款宽输入范围、电流模式、DC/DC 控制器，该器件能够利用单个反馈引脚调节正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、SEPIC 或负输出转换器。 LT3959EFE 具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET (额定在 6A 和40V)，并采用一个由 VIN 或 DRIVE 提供的内部稳定电源来驱动。固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现..

概述LT3958IUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 84V/3.3A 而拟订，并从一个内部已调 7.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现了稳定的操作..

概述LT3958EUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 84V/3.3A 而拟订，并从一个内部已调 7.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现了稳定的操作..

概述LT3957IUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 40V/5A 而拟订，并从一个内部已调 5.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现稳定操作。 LT..

概述LT3957EUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正输出电压或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 40V/5A 而拟订，并从一个内部已调 5.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现稳定操作。 LT..

概述LT3957AIUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 40V/5A 而拟订，并从一个内部已调 5.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现了稳定的操作。 LT3..

概述LT3957AEUHE 是一款宽输入电压范围、电流模式、DC/DC 转换器，该器件能够产生正或负输出电压。它可以被配置为一个升压、反激式、SEPIC 或负输出转换器。它具有一个内部低端 N 沟道功率 MOSFET，此 MOSFET 的额定规格针对 40V/5A 而拟订，并从一个内部已调 5.2V 电源来驱动。其固定频率、电流模式架构在一个很宽的电源电压和输出电压范围内实现了稳定的操作。 LT3..

概述LT3905IUD 是一款固定频率电流模式升压型转换器，专为对光接收器中的雪崩光电二极管 (APD) 施加偏置而设计。LT3905IUD 具有高压侧 APD 电流监视功能，动态范围跨 4 个数量级，其在 3μA 至 3mA 范围内的相对准确度优于 2%。 最大 APD 电流利用单个电阻器来设置，而一个带指示器的快速电流限制器可在过载情况下保护 APD。可调输出电压提供了动态偏置控制，一个可调式..

概述LT3905EUD 是一款固定频率电流模式升压型转换器，专为对光接收器中的雪崩光电二极管 (APD) 施加偏置而设计。LT3905EUD 具有高压侧 APD 电流监视功能，动态范围跨 4 个数量级，其在 3μA 至 3mA 范围内的相对准确度优于 2%。 最大 APD 电流利用单个电阻器来设置，而一个带指示器的快速电流限制器可在过载情况下保护 APD。可调输出电压提供了动态偏置控制，一个可调式..