概述LT3433EFE 是一款 200kHz 固定频率电流模式开关稳压器，其可采用单个电感器提供升压和降压调节。该 IC 可在一个 4V 至 60V 的输入电压范围内工作，因而使其适用于各种不同的宽输入电压范围应用，例如必须承受抛负载和冷车发动情况的汽车电子产品。 内部控制电路负责监视系统状况，并在需要时从单开关降压操作转换至双开关桥接式操作，从而无缝地在“降压”和“升压”电压转换之间改变。 任选..

概述LT3431IFE 是一款可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式架构提供了快速瞬态响应和良好的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。专利..

概述LT3431EFE 是一款可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式架构提供了快速瞬态响应和良好的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。专利..

概述LT3430IFE-1 是可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式控制架构提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。..

概述LT3430EFE-1 是可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式控制架构提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。..

概述LT3430IFE 是可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式控制架构提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。专利..

概述LT3430EFE 是可接受高达 60V 输入电压的单片式降压型开关稳压器。一个高效率 3A、0.1Ω 开关与所有必需的振荡器、控制和逻辑电路一起内置于芯片之中。一种电流模式控制架构提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在很宽的输入范围内实现了高效率。通过采用输出给电路施加偏置以及利用一个电源升压电容器以使电源开关饱和，在很宽的输出电流范围内保持了效率。专利..

概述LT1977IFE 是一款 500kHz、单片式、降压型开关稳压器，可接受高达 60V 的输入电压。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必需的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。电流模式拓扑用于实现快速瞬态响应和优良的环路稳定性。 该器件运用了创新的设计方法和一种新型高电压制造工艺，可在一个宽输入范围内实现高效率。通过在低电流条件下运用突发模式操作、利用输出对内部电路施加偏置、以..

概述LT1976EFE 是 200kHz、单片式、降压型开关稳压器，可接受高达 60V 的输入电压。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必需的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。电流模式拓扑用于实现快速瞬态响应和优良的环路稳定性。 这些器件运用了创新的设计方法和一种新型高电压制造工艺，可在一个宽输入范围内实现高效率。通过在低电流条件下采用突发模式 (Burst Mode?) 操作、使..

概述LT1976BIFE 是 200kHz、单片式、降压型开关稳压器，可接受高达 60V 的输入电压。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必需的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。电流模式拓扑用于实现快速瞬态响应和优良的环路稳定性。 这些器件运用了创新的设计方法和一种新型高电压制造工艺，可在一个宽输入范围内实现高效率。通过在低电流条件下采用突发模式 (Burst Mode?) 操作、..

概述LT1976BEF 是 200kHz、单片式、降压型开关稳压器，可接受高达 60V 的输入电压。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必需的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。电流模式拓扑用于实现快速瞬态响应和优良的环路稳定性。 这些器件运用了创新的设计方法和一种新型高电压制造工艺，可在一个宽输入范围内实现高效率。通过在低电流条件下采用突发模式 (Burst Mode?) 操作、使..

概述LT1961IMS8E 是一款 1.25MHz 单片式升压型开关稳压器。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关和所有必需的控制电路一起集成在芯片上，以构成一个高频、电流模式开关稳压器。电流模式控制提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 新型设计方法的运用在一个很宽的工作电压范围内实现了高效率（在高开关频率条件下）。低压差内部稳压器可在宽输入范围内 (从 24V 系统至锂离子电池）保持一致的性能。..

概述LT1961EMS8E 是一款 1.25MHz 单片式升压型开关稳压器。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关和所有必需的控制电路一起集成在芯片上，以构成一个高频、电流模式开关稳压器。电流模式控制提供了快速瞬态响应和超卓的环路稳定性。 新型设计方法的运用在一个很宽的工作电压范围内实现了高效率（在高开关频率条件下）。低压差内部稳压器可在宽输入范围内 (从 24V 系统至锂离子电池）保持一致的性能。..

概述LT1959IS8 是一个 500kHz 单片降压开关稳压器，功能上与 LT1506 相同但更适合较低输出稳压电压的应用。它的输出可低至 1.21V，而 LT1506 则为 2.42V。芯片上集成了一个 4.5A 开关管及所有必要的振荡器、控制与逻辑电路。由于开关频率高，因此大幅度减少了外部元器件尺寸。拓扑结构为电流模式，以获得快速瞬态响应及良好的环路稳定性。 由于采用一种特殊的高速双极工艺和..

概述LT1959IR 是一个 500kHz 单片降压开关稳压器，功能上与 LT1506 相同但更适合较低输出稳压电压的应用。它的输出可低至 1.21V，而 LT1506 则为 2.42V。芯片上集成了一个 4.5A 开关管及所有必要的振荡器、控制与逻辑电路。由于开关频率高，因此大幅度减少了外部元器件尺寸。拓扑结构为电流模式，以获得快速瞬态响应及良好的环路稳定性。 由于采用一种特殊的高速双极工艺和新..

概述LT1959CS8 是一个 500kHz 单片降压开关稳压器，功能上与 LT1506 相同但更适合较低输出稳压电压的应用。它的输出可低至 1.21V，而 LT1506 则为 2.42V。芯片上集成了一个 4.5A 开关管及所有必要的振荡器、控制与逻辑电路。由于开关频率高，因此大幅度减少了外部元器件尺寸。拓扑结构为电流模式，以获得快速瞬态响应及良好的环路稳定性。 由于采用一种特殊的高速双极工艺和..

概述LT1959CR 是一个 500kHz 单片降压开关稳压器，功能上与 LT1506 相同但更适合较低输出稳压电压的应用。它的输出可低至 1.21V，而 LT1506 则为 2.42V。芯片上集成了一个 4.5A 开关管及所有必要的振荡器、控制与逻辑电路。由于开关频率高，因此大幅度减少了外部元器件尺寸。拓扑结构为电流模式，以获得快速瞬态响应及良好的环路稳定性。 由于采用一种特殊的高速双极工艺和新..

概述LT1956EFE-5 是 500kHz 单片降压模式开关稳压器，其具有高达 60V 的输入电压能力。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必要的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。该器件采用一种电流模式架构，可实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在宽输入范围内实现了高效率。通过采用输出对电路施加偏置和利用一个电源升压电容器使电源开关饱和，可在一..

概述LT1956EGN-5 是 500kHz 单片降压模式开关稳压器，其具有高达 60V 的输入电压能力。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必要的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。该器件采用一种电流模式架构，可实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在宽输入范围内实现了高效率。通过采用输出对电路施加偏置和利用一个电源升压电容器使电源开关饱和，可在一..

概述LT1956IFE-5 是 500kHz 单片降压模式开关稳压器，其具有高达 60V 的输入电压能力。一个高效率 1.5A、0.2Ω 开关与所有必要的振荡器、控制器和逻辑电路一起内置于芯片之中。该器件采用一种电流模式架构，可实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。 特殊的设计方法和一种新型高电压工艺在宽输入范围内实现了高效率。通过采用输出对电路施加偏置和利用一个电源升压电容器使电源开关饱和，可在一..