- AD586LRZ-REEL7发布日期:2019/1/12 点击:93
概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..
查看详情 - AD586KRZ-REEL7发布日期:2019/1/12 点击:80
概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..
查看详情 - AD586JRZ-REEL7发布日期:2019/1/12 点击:63
概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..
查看详情 - AD586BRZ-REEL7发布日期:2019/1/12 点击:84
概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..
查看详情 - AD586ARZ-REEL发布日期:2019/1/12 点击:73
概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..
查看详情