元器件百科

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    AD586SQ
    发布日期:2019/1/12 点击:82

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586MNZ
    发布日期:2019/1/12 点击:88

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586LRZ-REEL7
    发布日期:2019/1/12 点击:93

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586LRZ
    发布日期:2019/1/12 点击:80

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586LQ
    发布日期:2019/1/12 点击:77

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586KRZ-REEL7
    发布日期:2019/1/12 点击:80

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586KRZ
    发布日期:2019/1/12 点击:91

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586KQ
    发布日期:2019/1/12 点击:64

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586JRZ-REEL7
    发布日期:2019/1/12 点击:63

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586JRZ
    发布日期:2019/1/12 点击:84

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586JQ
    发布日期:2019/1/12 点击:96

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586JNZ
    发布日期:2019/1/12 点击:93

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586BRZ-REEL7
    发布日期:2019/1/12 点击:84

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586BRZ
    发布日期:2019/1/12 点击:60

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586ARZ-REEL
    发布日期:2019/1/12 点击:73

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD586ARZ
    发布日期:2019/1/12 点击:87

    概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管,并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整,从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列,因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法,使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚,可进一步降低..

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    AD584TH
    发布日期:2019/1/12 点击:99

    概述 AD584是一款8引脚精密基准电压源,提供引脚可编程的四种常用输出电压选择:10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。高于、低于或介于四种标准输出之间的其它输出电压,可以通过增加外部电阻来获得。输入电压可在4.5 V和30 V之间变化。 该器件采用激光晶圆调整(LWT)技术来调整引脚可编程的输出电平和温度系数,从而获得最为灵活的单芯片、高精度基准电压源。 除可编程输出..

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    AD584KH
    发布日期:2019/1/12 点击:89

    概述 AD584是一款8引脚精密基准电压源,提供引脚可编程的四种常用输出电压选择:10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。高于、低于或介于四种标准输出之间的其它输出电压,可以通过增加外部电阻来获得。输入电压可在4.5 V和30 V之间变化。 该器件采用激光晶圆调整(LWT)技术来调整引脚可编程的输出电平和温度系数,从而获得最为灵活的单芯片、高精度基准电压源。 除可编程输出..

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    AD584JH
    发布日期:2019/1/12 点击:94

    概述 AD584是一款8引脚精密基准电压源,提供引脚可编程的四种常用输出电压选择:10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。高于、低于或介于四种标准输出之间的其它输出电压,可以通过增加外部电阻来获得。输入电压可在4.5 V和30 V之间变化。 该器件采用激光晶圆调整(LWT)技术来调整引脚可编程的输出电平和温度系数,从而获得最为灵活的单芯片、高精度基准电压源。 除可编程输出..

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    AD581UH
    发布日期:2019/1/12 点击:98

    概述 AD581 是一款三引脚、温度补偿式单芯片带隙基准电压源,可以利用12 V至30 V的未调节输入电平提供精密的 10.00 V输出。该器件采用激光晶圆调整(LWT)技术来调整+25°C时的初始误差和温度系数,从而获得以前只有昂贵的混合产品或烘箱调节模块 才能提供的高精度性能。AD581L为单芯片基准电压源,初始误差5 mV,保证温度系数为5 ppm/°C。 与传统齐纳击穿二极管技术相比,AD..

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