概述 AD680是一款带隙基准电压源，可以利用4.5 V至36 V的输入提供2.5 V输出。它采用的架构使之能以极低的静态电流工作，同时实现出色的直流特性和噪声性能。通过对高度稳定的薄膜电阻调整，可获得出色的初始精度和温度系数，从而在整个温度范围内实现低误差。该器件具有精密直流特性，非常适合用作要求外部精密基准电压源的数模转换器(DAC)的基准电压源。同时也非常适合模数转换器(ADC)使用，而且其..

概述 AD680是一款带隙基准电压源，可以利用4.5 V至36 V的输入提供2.5 V输出。它采用的架构使之能以极低的静态电流工作，同时实现出色的直流特性和噪声性能。通过对高度稳定的薄膜电阻调整，可获得出色的初始精度和温度系数，从而在整个温度范围内实现低误差。该器件具有精密直流特性，非常适合用作要求外部精密基准电压源的数模转换器(DAC)的基准电压源。同时也非常适合模数转换器(ADC)使用，而且其..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD589是一款双引脚、低成本、温度补偿式带隙基准电压源，可以利用50 μA至5.0 mA的输入电流提供固定的1.23 V输出电压。 它的高度稳定性主要取决于片内器件的匹配和热跟踪特性。该器件将ADI的精密双极性处理工艺与薄膜技术相结合，能够以较低的成本实现出色的性能。 此外，有源电路产生的输出阻抗也比典型的低温度系数齐纳二极管低10倍。利用这一特性，该器件无需外部器件便可工作，并在不同负载..

概述 AD5881代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。该器件具有低初始误差和低温度漂移特性，因而拥有前所未有的单芯片绝对精度性能。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆漂移调整，从而能够提供出色的性能。 AD588内置基本基准电压源和三个附加放大器，可提供引脚可编程的输出范围。这些放大器经过激光调整，具有低失调和低漂移特性，以保持基准电压源的精度。通过放大..

概述 AD5881代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。该器件具有低初始误差和低温度漂移特性，因而拥有前所未有的单芯片绝对精度性能。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆漂移调整，从而能够提供出色的性能。 AD588内置基本基准电压源和三个附加放大器，可提供引脚可编程的输出范围。这些放大器经过激光调整，具有低失调和低漂移特性，以保持基准电压源的精度。通过放大..

概述 AD5881代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。该器件具有低初始误差和低温度漂移特性，因而拥有前所未有的单芯片绝对精度性能。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆漂移调整，从而能够提供出色的性能。 AD588内置基本基准电压源和三个附加放大器，可提供引脚可编程的输出范围。这些放大器经过激光调整，具有低失调和低漂移特性，以保持基准电压源的精度。通过放大..

概述 AD5881代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。该器件具有低初始误差和低温度漂移特性，因而拥有前所未有的单芯片绝对精度性能。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆漂移调整，从而能够提供出色的性能。 AD588内置基本基准电压源和三个附加放大器，可提供引脚可编程的输出范围。这些放大器经过激光调整，具有低失调和低漂移特性，以保持基准电压源的精度。通过放大..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD587代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD587的性能明显高于大多数其它10 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD587迅速完成升级。 基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步..

概述 AD586代表了先进单芯片基准电压源领域取得的重大进步。它采用专有离子植入嵌入式齐纳二极管，并对高度稳定的薄膜电阻进行激光晶圆调整，从而能够以较低的成本提供出色的性能。 AD586的性能明显高于大多数其它5 V基准电压源。它采用工业标准引脚排列，因此许多系统都可以利用AD586迅速完成升级。基准电压源设计采用嵌入式齐纳方法，使噪声和漂移均低于带隙基准电压源。该器件还提供降噪引脚，可进一步降低..