概述 HMC1162是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO)，具有分频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。 采用5 V电源电压时，功率输出为11 dBm（典型值）。 VCO采用符合RoHS标准的32引脚LFCSP封装，无需外部匹配元件。 特点 双通道输出 fOUT = 9.25 GHz至10.10 ..

概述 The HMC1160 is a MMIC voltage controlled oscillator that integrates a resonator, a negative resistance device, and a varactor diode, and features a half frequency output. Because of the monolithic ..

概述 HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+11 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该电..

概述 HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+3V电源电压时，输出功率为+7 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+3V电源电压时，输出功率为+7 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该电压..

概述 HMC511LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件和变容二极管，具有半频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，功率输出典型值为+13 dBm。 该电压控制振荡器采用QFN 5x5 mm无引脚表面贴装封装，无需外部匹配元件。 特点 双通道输出： ..

概述 HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+13 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该..

概述 HMC509LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC509LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源时，输出功率为+13 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。 特点..

概述 HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源时，输出功率为+15 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。 特点 ..

概述 HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作，插入损耗低于1 dB典型值，最高达到4 GHz。 衰减器位值为1 (LSB)、2和4 dB，总衰减为7 dB。 衰减精度非常高，典型步长误差为±0.4 dB，IIP3为+55 dBm。 三个控制电压输入在0和+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。 需要+5V的单个V..

概述 HMC542BLP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，带有CMOS兼容的串行至并行转换驱动，采用低成本无引脚表贴封装。 该串行控制数字衰减器采用片外AC接地电容器，进行近直流操作，这一特性使其非常适合各种RF和IF应用。 该衰减器在DC至4 GHz的频率下工作，插入损耗为1.7 dB，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 衰减精度非常高..

特点 0.25 dB LSB步进至15.75 dB 上电状态选择 高输入IP3： +55 dBm 低插入损耗： 1.8 dB (2 GHz) TTL/CMOS兼容、串行、并行或锁存并行控制 步长误差：±0.1 dB（典型值） +3V或+5V单电源 24引脚4x4mm SMT封装： 16mm2 应用 蜂窝/3G基础设施 WiBro / WiMAX / 4G 微波无线电和VSAT 测试设备和传感器 I..

概述 HMC470A是一款5位数字衰减器，以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。 HMC470A在100 MHz至3 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过，该数字衰减器具有用于外部交流接地电容的ACG引脚，可将工作频率扩展至低于100 MHz。 HMC470A采用3 V至5 V单正电源供电，通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS..

概述 HMC973A是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作频率范围为0.5至6 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过26 dB幅度范围的RF信号电平的设计。 它集成一个分流型衰减器，由模拟电压Vctrl控制。 与其他基于GaAs FET的VVA不同，HMC973A在其控制范围内具有+35 dBm的出色输入IP3线性度。 HMC973A是一款单向器件，当RF输入信号施加于RFIN封..

概述 HMC629ALP4E是一款宽带4位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入或4位并行字。HMC629ALP4E采用符合RoHS标准的4x4 mm QFN无铅封装，无需外部匹配元件。 特点 3 dB LSB步进至45 dB 上电状态选择 低插..

概述 HMC973A是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作频率范围为0.5至6 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过26 dB幅度范围的RF信号电平的设计。 它集成一个分流型衰减器，由模拟电压Vctrl控制。 与其他基于GaAs FET的VVA不同，HMC973A在其控制范围内具有+35 dBm的出色输入IP3线性度。 HMC973A是一款单向器件，当RF输入信号施加于RFIN封..

概述 HMC539A是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器，采用低成本引脚表贴封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 工作频率范围DC至4.0 GHz，插入损耗低于0.7 dB典型值。 对于7.75 dB的总衰减，衰减器位值为0.25 (LSB)、0.5、1、2和4 dB。 它具有出色的衰减精度，典型..

概述 HMC273AMS10G(E)是一款通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP塑料封装。工作频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于3 dB。对于31 dB的总衰减，衰减器位值为1 (LSB)、2、4、8和16 dB。在±0.2 dB（典型值）时，精度最佳且IIP3高达+46 dBm。五位控制电压输入，在0和+3至+5 V之间切换，用于选择每个衰减状态。需通..

概述 HMC305S(E)是一款集成CMOS兼容串行转并行驱动器的宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用无引脚QFN 4x4 mm SMT封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2 dB。 对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在±0.25 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五位串行控..