概述 HMC305S(E)是一款集成CMOS兼容串行转并行驱动器的宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用无引脚QFN 4x4 mm SMT封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2 dB。 对于15.5 dB的总衰减，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在±0.25 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五位串行控..

概述 HMC540SLP3E是一款宽带4位IC芯片数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 在0.1到8 GHz频率下运行，插入损耗低于1 dB典型值。 对于15 dB的总衰减，衰减器位值为1 (LSB)、2、4和8 dB。 它具有出色的衰减精度，典型步长误差为± 0.2..

概述 HMC802A是一款宽带双向1位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表贴封装。 这款单正控制线路数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 在DC至10 GHz频率下运行，插入损耗小于3 dB典型值，在±0.6 dB（典型值）时，衰减精度非常出色。 衰减器还具有+55 dBm高IP3。 一个TTL/CMOS控制输入用于选择衰减状..

概述 HMC1122是一款6位数字衰减器，工作频率范围为0.1 GHz至6 GHz，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC1122采用硅工艺实现，提供超快速建立时间、低功耗和高ESD鲁棒性。该器件具有安全状态转换特性，并针对频率和温度范围内出色的步长精度和高线性度进行了优化。RF输入与输出为匹配元件。该设计为双向；因此，RF输入与输出可以互换。 HMC1122采用3.3 V至..

概述 HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 在DC到3.8 GHz频率下运行，插入损耗低于2.0 dB典型值。 衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 衰减精度非常高，..

概述 HMC306AMS10和HMC306AMS10E均为通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP 表贴塑料封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2.3 dB。 对于15.5 dB的总衰减，这些衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在± 0.2 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五个控制电压..

概述 HMC306AMS10和HMC306AMS10E均为通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP 表贴塑料封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2.3 dB。 对于15.5 dB的总衰减，这些衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在± 0.2 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五个控制电压..

概述 HMC306AMS10和HMC306AMS10E均为通用型宽带5位正控制GaAs IC数字衰减器，采用10引脚MSOP 表贴塑料封装。 该器件的频率范围为0.7至3.8 GHz，典型插入损耗小于1.5至2.3 dB。 对于15.5 dB的总衰减，这些衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4和8 dB。 在± 0.2 dB（典型值）时，衰减精度最佳且IIP3高达+52 dBm。 五个控制电压..

特点 0.25 dB LSB步进至15.75 dB 上电状态选择 高输入IP3： +55 dBm 低插入损耗： 1.8 dB (2 GHz) TTL/CMOS兼容、串行、并行或锁存并行控制 步长误差：±0.1 dB（典型值） +3V或+5V单电源 24引脚4x4mm SMT封装： 16mm2 应用 蜂窝/3G基础设施 WiBro / WiMAX / 4G 微波无线电和VSAT 测试设备和传感器 I..

概述 HMC624A是一款6位数字衰减器，以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定频率范围内提供出色的衰减精度和高输入线性度。不过，该数字衰减器具有外部交流接地电容，可将工作频率扩展至低于100 MHz。 HMC624A集成两个裸片：CMOS驱动器和砷化镓(GaAs) RF衰减器。CMOS驱动器支持对RF衰减器进行串行和并行控制。该..

概述 HMC542BLP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，带有CMOS兼容的串行至并行转换驱动，采用低成本无引脚表贴封装。 该串行控制数字衰减器采用片外AC接地电容器，进行近直流操作，这一特性使其非常适合各种RF和IF应用。 该衰减器在DC至4 GHz的频率下工作，插入损耗为1.7 dB，衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 衰减精度非常高..

概述 HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器采用片外AC接地电容器，在接近直流的情况下工作，这一特点使得它非常适合各种RF和IF应用。 在DC到3.8 GHz频率下运行，插入损耗低于2.0 dB典型值。 衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 衰减精度非常高，..

概述 HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作，插入损耗低于1 dB典型值，最高达到4 GHz。 衰减器位值为1 (LSB)、2和4 dB，总衰减为7 dB。 衰减精度非常高，典型步长误差为±0.4 dB，IIP3为+55 dBm。 三个控制电压输入在0和+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。 需要+5V的单个V..

概述 HMC1095LP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器，采用低成本无铅SMT封装。 多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，使其适合各种RF和IF应用。 双模控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入或6位并行字。 HMC1095LP4E还具有用户可选上电状态和串行输出端口，从而级联Hittite串行控制组件。 HMC1095LP4E采用符合RoHS标准的4x4..

概述 HMC-C025是一款6位GaAs IC串行数字衰减器，在DC至13 GHz的频率下工作，封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有4 dB的典型插入损耗和+38 dBm的输入IP3，位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 它具有出色的衰减精度，典型步长误差为±0.3 dB。 六个控制电压输入，在0和+5V之间切换，用于选择每个衰减状态。 单个Vdc偏..

概述 HMC-C018是一款6位GaAs IC串行数字控制衰减器，在DC至13 GHz的频率下工作，封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有3.6 dB的典型插入损耗和+38 dBm的输入IP3，位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB，总衰减为31.5 dB。 它具有出色的衰减精度，典型步长误差为0.3 dB。 它使用六位CMOS兼容串行控制字来选择每个衰减状态，-5V的Vdc偏置..

概述 HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入。 HMC759LP3E具有用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他Hittite串行控制组件。 HMC759LP3E采用符合RoHS标准的3x3 mm QFN无引脚封装，..

概述 AD-PZSDR2400TDD-EB是一款2.4GHz TDD模拟模块，设计采用AD9361工作——一款高性能、高度集成的RF收发器，适合3G和4G基站以及测试设备、软件定义无线电等RF应用领域。 AD-PZSDR2400TDD-EB被人们称为首款“RF个性卡”。 它插入AES-PZSDRCC-FMC-G载波卡中。 35mm U.FL同轴电缆将此卡连接至PicoZed SDR Z7035/A..

概述 ADRF6755是一款高集成度正交调制器、频率合成器和可编程衰减器。该器件工作在100 MHz至2400 MHz的频率范围，适用于卫星、蜂窝和宽带通信。 ADRF6755调制器包括一个集成VCO的高模数、小数N分频频率合成器，其频率分辨率低于1 Hz，以及一个47 dB数字控制输出衰减器，步进为1 dB。 所有片内寄存器均通过用户可选的SPI或I2C接口进行控制。该器件采用4.75 V至5...

概述 ADRF6755是一款高集成度正交调制器、频率合成器和可编程衰减器。该器件工作在100 MHz至2400 MHz的频率范围，适用于卫星、蜂窝和宽带通信。 ADRF6755调制器包括一个集成VCO的高模数、小数N分频频率合成器，其频率分辨率低于1 Hz，以及一个47 dB数字控制输出衰减器，步进为1 dB。 所有片内寄存器均通过用户可选的SPI或I2C接口进行控制。该器件采用4.75 V至5...