概述LTC3735EG 是一款两相、同步、降压型开关稳压器控制器，用于以一种恒定频率架构来驱动全 N 沟道功率 MOSFET。在正常操作期间，输出电压可由 6 个 VID 位来设置，而在初始启动和深度睡眠状态中，输出电压则可由外部电阻器来设置。LTC3735EG 在高达 550kHz 的频率条件下驱动其两个异相输出级，旨在最大限度地减小输入和输出电容器中的 RMS 纹波电流。这种反相方法还实现了表..

概述LTC3734EUH 是一款单相、同步、降压型开关稳压器控制器，用于以一种恒定频率架构来驱动全 N 沟道功率 MOSFET。在正常操作期间，输出电压可由 6 个 VID 位来设置，而在初始启动和深度睡眠状态中，输出电压则可由外部电阻器来设置。LTC3734EUH 在高达 550kHz 的频率条件下驱动其输出级。强大的片内栅极驱动器免除了增设外部栅极驱动器 IC 的需要，从而简化了设计。 该器件..

概述LTC3733CG 是多相 (PolyPhase?) 同步降压型开关稳压控制器，用于以一种可锁相固定频率架构来驱动全 N 沟道外部功率 MOSFET 级。该三相控制器以 120° 相位分离和高达每相 530kHz 的频率来驱动其输出级，旨在最大限度地降低由输入和输出滤波电容器 ESR 所产生的 RMS 电流损耗。这种三相方法实际上使基频增至三倍，从而改善了瞬态响应并以一个最佳频率来运作每相，以..

概述LTC3720EGN 是一款用于 CPU 电源的同步降压型开关稳压控制器。利用一个 5 位代码 (Intel VRM8.5 VID 规格) 来选择一个介于 1.05V 和 1.825V 之间的输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。 不连续模式操作在轻负载条件下实..

概述LTC3719EG 是一款两相、VID 可编程、同步降压型开关稳压控制器，用于在固定频率架构中驱动两个 N 沟道外部功率 MOSFET 级。该两相控制器以高达 300kHz 频率异相驱动它的两个输出级，以最大限度减小输入和输出电容器中的 RMS 纹波电流。这种两相技术有效地把基频提高两倍，从而改善了瞬态响应，同时以一个最佳频率运作每个通道以实现高效率。另外，热设计也得到简化。 一个操作模式选择..

概述LTC3718EG 是一款用于 DDR 和 QDR? 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作，并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。LTC3718EG 采用一对..

概述LTC3717EUH-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构，以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 和 VOUT 中的变化进行补偿。 强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部被设定为 VREF 的一半，这可由用户设置。..

概述LTC3717EGN 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比，并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 的变化进行补偿。 强制连续操作可降低噪声及 RF 干扰。输出电压在内部设定为 VREF 的一半，这可由用户设置。 故障保护由一个输出过压比较..

概述LTC3714EG 是一款用于 CPU 电源的同步降压型开关稳压控制器。利用一个 5 位代码 (Intel 移动 VID 规格) 来选择一个 0.6V 至 1.75V 的输出电压。该控制器采用一种恒定导通时间、谷值电流控制架构来提供非常低的占空比，而无需使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择，并针对 VIN 及 VOUT 中的变化进行补偿。 不连续模式操作在轻负载条件下实现了高效..

概述LTC3676IUJ 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用..

概述LTC3676ILXE 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口..

概述LTC3676HUJ 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用..

概述LTC3676 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676IUJ-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用..

概述LTC3676 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676ILXE-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口..

概述LTC3676 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676HLXE-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口..

概述LTC3676HLXE 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口..

概述LTC3676 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。 LTC3676EUJ-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用..

概述LTC3676ELXE-1 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676ELXE-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C..

概述LTC3676ELXE 是一款完整的电源管理解决方案，适合基于高级便携式应用处理器的系统。该器件包含 4 个用于内核、存储器、I/O 和片上系统 (SoC) 电源轨的同步降压型 DC/DC 转换器，以及 3 个用于低噪声模拟电源的 300mA LDO 稳压器。LTC3676-1 具有一个专为支持 DDR 终端和一个 VTTR 基准输出而配置的 ±1.5A 降压型稳压器。一个 I2C 串行端口用..

概述LTC3634MPUFD 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器，可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V，从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型系统。 VTT 稳定输出电压等于 VDDQIN ? 0.5。一个能驱动 10mA 负载的片内缓冲器可提供..