概述LT1084CT-12 正可调稳压器专为以高于现有器件的效率来提供 3A、5A 和 7.5A 输出电流而设计。所有的内部电路均为能够在低至 1V 的输入至输出差分电压条件下运作而设计，并且把压差电压作为负载电流的一个函数拟订了全面的规格。压差在最大输出电流条件下保证为 1.5V (最大值)，并在负载电流下降时有所减小。片内修整把输出电压准确度调节至 1%。对电流限值也进行了修整，从而最大限度地..

概述LT?1083 系列正可调稳压器专为以高于现有器件的效率来提供 7.5A、5A 和 3A 输出电流而设计。所有内部电路均为能够在低至 1V 的输入至输出差分电压条件下运作而设计，并且把压差电压作为负载电流的一个函数拟订了全面的规格。压差在最大输出电流条件下保证为 1.5V (最大值)，并在较低负载电流时有所减小。片内修整把输出电压准确度调节至 1%。对电流限值也进行了修整，从而最大限度地减小了..

概述LT1083 系列正可调稳压器专为以高于现有器件的效率来提供 7.5A、5A 和 3A 输出电流而设计。所有内部电路均为能够在低至 1V 的输入至输出差分电压条件下运作而设计，并且把压差电压作为负载电流的一个函数拟订了全面的规格。压差在最大输出电流条件下保证为 1.5V (最大值)，并在较低负载电流时有所减小。片内修整把输出电压准确度调节至 1%。对电流限值也进行了修整，从而最大限度地减小了过..

概述LT1033CT 负可调稳压器将在一个 -1.2V 至 -32V 的输出电压范围内提供高达 3A 的输出电流。与先前的同类器件相比，凌力尔特在这些稳压器中实现了显著的改善，例如：更好的电压和负载调节性能，以及一个 1% 的最大输出电压误差。 LT1033CT 简单易用且不易损坏。内部电流和功率限制以及真正的热限制功能可避免器件由于过载或短路而受损，即使在稳压器并未固定在一个散热器上的情况下也不..

概述The LT1020ISW is a combination micropower positive regulator and free collector comparator on a single monolithic chip. With only 40μA supply current, the LT1020ISW can supply over 125mA of output c..

概述The LT1020CSW is a combination micropower positive regulator and free collector comparator on a single monolithic chip. With only 40μA supply current, the LT1020CSW can supply over 125mA of output c..

概述The LT1020CN is a combination micropower positive regulator and free collector comparator on a single monolithic chip. With only 40μA supply current, the LT1020CN can supply over 125mA of output cur..

概述LTC6943IGN is a monolithic, charge-balanced, dual switched capacitor instrumentation building block. A pair of switches alternately connects an external capacitor to an input voltage and then connec..

概述LTC6943CGN is a monolithic, charge-balanced, dual switched capacitor instrumentation building block. A pair of switches alternately connects an external capacitor to an input voltage and then connec..

概述LTC3877IUK 是一款采用了一种先进和专有架构的 VID 可编程、恒定频率电流模式降压型控制器。这种新型架构可改善电流检测信号的信噪比，因而允许使用非常低 DC 电阻功率电感器以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还大幅度地减小了电流检测误差，从而在多相低 DCR 应用中极大地改善了均流。此外，这款控制器还实现了仅 40ns 的最小导通时间，因而允许在高降压比条件下使用高开关频率。 ..

概述LTC3877EUK 是一款采用了一种先进和专有架构的 VID 可编程、恒定频率电流模式降压型控制器。这种新型架构可改善电流检测信号的信噪比，因而允许使用非常低 DC 电阻功率电感器以最大限度地提升高电流应用中的效率。该特性还大幅度地减小了电流检测误差，从而在多相低 DCR 应用中极大地改善了均流。此外，这款控制器还实现了仅 40ns 的最小导通时间，因而允许在高降压比条件下使用高开关频率。 ..

概述LTC3876IUHF 是一款完整的 DDR 电源解决方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876IUHF 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合，可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准，并具有 <20mV 的总..

概述LTC3876EFE 是一款完整的 DDR 电源解决方案，可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876EFE 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合，可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责跟踪高精度的 VTTR 线性基准，并具有 <20mV 的总 D..

概述LTC3831IGN 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831IGN 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831IGN 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831IGN 可在..

概述LTC3831EGN 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831EGN 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831EGN 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外，该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流，因而能够在无需使用电流检测电阻器的情况下提供一个可调电流限值。 LTC3831EGN 可在..

概述LTC3816EUHF 是一款单相、同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，用于以一种恒定频率电压模式架构来驱动 N 沟道功率 MOSFET。该控制器的前沿调制拓扑结构可提供极低的输出电压并支持一个高达 550kHz 的可锁相开关频率。输出电压采用一个 7 位 VID 代码来设置。 LTC3816EUHF 可满足 IMVP-6/IMVP-6.5 的所有要求，包括起动至一个预设的启动电压、具可..

概述LTC3816EFE 是一款单相、同步降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，用于以一种恒定频率电压模式架构来驱动 N 沟道功率 MOSFET。该控制器的前沿调制拓扑结构可提供极低的输出电压并支持一个高达 550kHz 的可锁相开关频率。输出电压采用一个 7 位 VID 代码来设置。 LTC3816EFE 可满足 IMVP-6/IMVP-6.5 的所有要求，包括起动至一个预设的启动电压、具可编程..

概述LTC3776EUF 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF，并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要，并改善了效率。通过使两个控制器异相工作，最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可..

概述LTC3776EGN 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF，并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要，并改善了效率。通过使两个控制器异相工作，最大限度地降低了由输入电容的 ESR 所引起的功耗和噪声。 开关频率可..

概述LTC3735EUHF 是一款两相、同步、降压型开关稳压器控制器，用于以一种恒定频率架构来驱动全 N 沟道功率 MOSFET。在正常操作期间，输出电压可由 6 个 VID 位来设置，而在初始启动和深度睡眠状态中，输出电压则可由外部电阻器来设置。LTC3735EUHF 在高达 550kHz 的频率条件下驱动其两个异相输出级，旨在最大限度地减小输入和输出电容器中的 RMS 纹波电流。这种反相方法还..