元器件百科

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    LT3752IFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3752IFE是电流模式 PWM 控制器,专为一种有源箝位正激式转换器拓扑而优化。该器件内置了一个 DC/DC 内务处理控制器以改善效率和性能。LT3752IFE可在输入高达 100V 时正常运作,而 LT3752-1 则专为那些输入电压高于 100V 的应用而优化。 一个可编程伏特-秒箝位可提供高于 50% 的主开关占空比,以实现高的开关、变压器和整流器利用率。有源箝位控制可减小开关电压..

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    LT3752HFE-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3752HFE-1是电流模式 PWM 控制器,专为一种有源箝位正激式转换器拓扑而优化。该器件内置了一个 DC/DC 内务处理控制器以改善效率和性能。LT3752可在输入高达 100V 时正常运作,而 LT3752HFE-1 则专为那些输入电压高于 100V 的应用而优化。 一个可编程伏特-秒箝位可提供高于 50% 的主开关占空比,以实现高的开关、变压器和整流器利用率。有源箝位控制可减小开关..

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    LT3752EFE-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3752EFE-1是电流模式 PWM 控制器,专为一种有源箝位正激式转换器拓扑而优化。该器件内置了一个 DC/DC 内务处理控制器以改善效率和性能。LT3752可在输入高达 100V 时正常运作,而 LT3752EFE-1则专为那些输入电压高于 100V 的应用而优化。 一个可编程伏特-秒箝位可提供高于 50% 的主开关占空比,以实现高的开关、变压器和整流器利用率。有源箝位控制可减小开关电..

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    LT3752EFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3752EFE是电流模式 PWM 控制器,专为一种有源箝位正激式转换器拓扑而优化。该器件内置了一个 DC/DC 内务处理控制器以改善效率和性能。LT3752EFE 可在输入高达 100V 时正常运作,而 LT3752-1 则专为那些输入电压高于 100V 的应用而优化。 一个可编程伏特-秒箝位可提供高于 50% 的主开关占空比,以实现高的开关、变压器和整流器利用率。有源箝位控制可减小开关电..

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    LT3748MPMS
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3748MPMS 是一款专为隔离型反激式拓扑结构而设计的开关稳压器控制器,能够提供高功率。它从一个在内部调节的 7V 电源来驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET。由于该器件直接从主端反激波形来检测隔离输出电压,因此无需借助第三绕组或光隔离器来实现稳压。 LT3748MPMS 运用边界模式操作,旨在提供一款未牺牲负载调节性能的小型磁性解决方案。该器件的工作频率由负载电流和变压器磁化电感来..

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    LT3748IMS
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3748IMS 是一款专为隔离型反激式拓扑结构而设计的开关稳压器控制器,能够提供高功率。它从一个在内部调节的 7V 电源来驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET。由于该器件直接从主端反激波形来检测隔离输出电压,因此无需借助第三绕组或光隔离器来实现稳压。 LT3748IMS 运用边界模式操作,旨在提供一款未牺牲负载调节性能的小型磁性解决方案。该器件的工作频率由负载电流和变压器磁化电感来设定..

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    LT3748HMS
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3748HMS 是一款专为隔离型反激式拓扑结构而设计的开关稳压器控制器,能够提供高功率。它从一个在内部调节的 7V 电源来驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET。由于该器件直接从主端反激波形来检测隔离输出电压,因此无需借助第三绕组或光隔离器来实现稳压。 LT3748HMS 运用边界模式操作,旨在提供一款未牺牲负载调节性能的小型磁性解决方案。该器件的工作频率由负载电流和变压器磁化电感来设定..

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    LT3748EMS
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3748EMS 是一款专为隔离型反激式拓扑结构而设计的开关稳压器控制器,能够提供高功率。它从一个在内部调节的 7V 电源来驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET。由于该器件直接从主端反激波形来检测隔离输出电压,因此无需借助第三绕组或光隔离器来实现稳压。 LT3748EMS 运用边界模式操作,旨在提供一款未牺牲负载调节性能的小型磁性解决方案。该器件的工作频率由负载电流和变压器磁化电感来设定..

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    LT3742EUF
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3742EUF 是一款双通道、降压型 DC/DC 开关稳压控制器,用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET。一种 500kHz 固定频率电流模式架构利用简单的环路补偿元件和逐周期电流限制提供了快速瞬态响应。两个控制器的输出级异相 180° 运作,旨在减小输入纹波电流,从而最大限度地降低了输入电源上的诱发噪声,并允许使用较小的输入电容。 一个内部升压稳压器产生了一个 VIN + 7V 的偏..

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    LT3741IUF-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741 和 LT3741IUF-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。 LT3741 运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者面对的..

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    LT3741IFE-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741 和 LT3741IFE-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。 LT3741 运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者面对的..

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    LT3741IFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741IFE 和 LT3741-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。 LT3741IFE 运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者..

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    LT3741EUF
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741EUF 和 LT3741-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。 LT3741EUF运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者面..

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    LT3741EFE-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741 和 LT3741EFE-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。 LT3741运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者面对的是..

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    LT3741EFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3741EFE 和 LT3741-1 是固定频率同步降压型 DC/DC 控制器,专为准确地调节高达 20A 的输出电流而设计。平均电流模式控制器将在一个 0V 至 (VIN – 2V) 的宽输出电压范围内保持电感器电流调节作用。已调电流由 CTRL 引脚上的一个模拟电压和一个外部检测电阻器来设定。LT3741EFE运用了一种独特的拓扑结构,因而能够供应和吸收电流。如果不需要吸收电流或者面对..

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    LT3740EDHC
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3740EDHC 是一款同步降压型开关稳压控制器,用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 级。该控制器采用谷值电流模式架构,旨在实现非常低的占空比和超卓的瞬态响应性能,而无需使用一个检测电阻器。 LT3740EDHC 包括一个内部升压转换器,以提供一个比输入电压高 7.8V 的偏置电压,供驱动之用。这使得该器件能够在输入电压低至 2.2V 的情况下正常工作。 XREF 引脚是一个外部基准输入..

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    LT3724MPFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3724MPFE 是一款中等功率、组件数目小、低成本和高效电源的 DC/DC 控制器。它提供了一个 4V 至 60V 的宽输入电压范围 (最小启动电压为 7.5V),并能够实现降压、升压、反相和SEPIC 拓扑结构。 LT3724MPFE 具有突发模式操作功能,该操作模式将静态电流降至 100μA 以下,并可在轻负载条件下维持高效率。一个内部高电压偏置稳压器允许简单的偏置,并可被反向驱动以..

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    LT3724IFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3724IFE 是一款中等功率、组件数目小、低成本和高效电源的 DC/DC 控制器。它提供了一个 4V 至 60V 的宽输入电压范围 (最小启动电压为 7.5V),并能够实现降压、升压、反相和SEPIC 拓扑结构。 LT3724IFE 具有突发模式操作功能,该操作模式将静态电流降至 100μA 以下,并可在轻负载条件下维持高效率。一个内部高电压偏置稳压器允许简单的偏置,并可被反向驱动以提高..

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    LT3724EFE
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT3724EFE 是一款中等功率、组件数目小、低成本和高效电源的 DC/DC 控制器。它提供了一个 4V 至 60V 的宽输入电压范围 (最小启动电压为 7.5V),并能够实现降压、升压、反相和SEPIC 拓扑结构。 LT3724EFE 具有突发模式操作功能,该操作模式将静态电流降至 100μA 以下,并可在轻负载条件下维持高效率。一个内部高电压偏置稳压器允许简单的偏置,并可被反向驱动以提高..

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    LT1952IGN-1
    发布日期:2018/6/14 点击:

    概述LT1952IGN-1是一款专为控制正激变换器拓扑结构而优化设计的电流模式 PWM 控制器,采用一个主 MOSFET。LT1952IGN-1可提供同步整流器控制,因此得到了极高的效率。一个可编程伏特-秒箝位为用于防止变压器发生饱和的变压器复位提供了安全保障。这使得主端上的 MOSFET 能够以大于 50% 的占空比可靠地运行,以实现高 MOSFET、变压器和整流器利用率。 LT1952具有软起..

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