概述LT1952EGN-1是一款专为控制正激变换器拓扑结构而优化设计的电流模式 PWM 控制器，采用一个主 MOSFET。LT1952EGN-1可提供同步整流器控制，因此得到了极高的效率。一个可编程伏特-秒箝位为用于防止变压器发生饱和的变压器复位提供了安全保障。这使得主端上的 MOSFET 能够以大于 50% 的占空比可靠地运行，以实现高 MOSFET、变压器和整流器利用率。 LT1952具有软起..

概述LT1952IGN是一款专为控制正激变换器拓扑结构而优化设计的电流模式 PWM 控制器，采用一个主 MOSFET。LT1952IGN可提供同步整流器控制，因此得到了极高的效率。一个可编程伏特-秒箝位为用于防止变压器发生饱和的变压器复位提供了安全保障。这使得主端上的 MOSFET 能够以大于 50% 的占空比可靠地运行，以实现高 MOSFET、变压器和整流器利用率。 LT1952IGN 具有软起..

概述LT1950IGN 是一款宽输入范围、正激、升压、反激和 SEPIC 型控制器，其用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，所需的外部组件极少。 一个电阻器可编程占空比箝位可用来产生一个针对正激式转换器应用的伏特-秒箝位。该器件提供了一个内部升压型开关电源，用以产生一个用于输出栅极驱动器的单独电源，能够从低至 3V 的输入电压提供 10V 栅极驱动电压。LT1950IGN 的工作频率可利用一个..

概述LT1950EGN 是一款宽输入范围、正激、升压、反激和 SEPIC 型控制器，其用于驱动一个 N 沟道功率 MOSFET，所需的外部组件极少。 一个电阻器可编程占空比箝位可用来产生一个针对正激式转换器应用的伏特-秒箝位。该器件提供了一个内部升压型开关电源，用以产生一个用于输出栅极驱动器的单独电源，能够从低至 3V 的输入电压提供 10V 栅极驱动电压。LT1950EGN 的工作频率可利用一个..

概述 LT1737IS是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且通常是依靠一个 1737ISDC 电源电压供电。输出电压反馈信息可以采用多种方法来提供，包括第三个变压器绕组、主端绕组、或者甚至是直接 DC 反馈 (见 “Application Information”)。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 及其他电源通路组件..

概述 LT1737IGN 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且通常是依靠一个 DC 电源电压供电。输出电压反馈信息可以采用多种方法来提供，包括第三个变压器绕组、主端绕组、或者甚至是直接 DC 反馈 (见 “Application Information”)。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 及其他电源通路组件相结合，..

概述 LT1737CS 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且通常是依靠一个 DC 电源电压供电。输出电压反馈信息可以采用多种方法来提供，包括第三个变压器绕组、主端绕组、或者甚至是直接 DC 反馈 (见 “Application Information”)。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 及其他电源通路组件相结合，能..

概述 LT1737CGN 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且通常是依靠一个 DC 电源电压供电。输出电压反馈信息可以采用多种方法来提供，包括第三个变压器绕组、主端绕组、或者甚至是直接 DC 反馈 (见 “Application Information”)。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 及其他电源通路组件相结合，..

概述 LT1725IS 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且一般是采用第三个变压器绕组供电。这些特性实现了一个仅受限于外部电源通路组件的应用输入电压。第三个变压器绕组还提供输出电压反馈信息，因而无需使用光隔离器。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 相结合，能够输送高达数十瓦的负载功率。 LT1725IS 拥有一些大多数..

概述 LT1725IGN 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且一般是采用第三个变压器绕组供电。这些特性实现了一个仅受限于外部电源通路组件的应用输入电压。第三个变压器绕组还提供输出电压反馈信息，因而无需使用光隔离器。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 相结合，能够输送高达数十瓦的负载功率。 LT1725IGN 拥有一些大..

概述 LT1725CS 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且一般是采用第三个变压器绕组供电。这些特性实现了一个仅受限于外部电源通路组件的应用输入电压。第三个变压器绕组还提供输出电压反馈信息，因而无需使用光隔离器。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 相结合，能够输送高达数十瓦的负载功率。 LT1725CS 拥有一些大多数..

概述 LT1725CGN 是一款单片式开关稳压控制器，专为隔离型反激式拓扑而特别设计。该器件驱动一个外部 MOSFET 的栅极，而且一般是采用第三个变压器绕组供电。这些特性实现了一个仅受限于外部电源通路组件的应用输入电压。第三个变压器绕组还提供输出电压反馈信息，因而无需使用光隔离器。其栅极驱动能力与一个合适的外部 MOSFET 相结合，能够输送高达数十瓦的负载功率。 LT1725CGN 拥有一些大..

概述LT1683IG 是一款开关稳压控制器，专为降低传导和辐射电磁干扰 (EMI) 而设计。通过控制外部 N 沟道 MOSFET 开关的电压和电流转换速率，实现了超低的噪声和 EMI。电流和电压转换速率可独立设定，以优化开关波形的谐波分量与效率的关系。LT1683IG 能够使高频谐波功率降低 40dB 之多，而效率仅略有下降。 LT1683IG运用了一种专为低噪声拓扑结构而优化的双路输出 (推挽式..

概述LT1683EG 是一款开关稳压控制器，专为降低传导和辐射电磁干扰 (EMI) 而设计。通过控制外部 N 沟道 MOSFET 开关的电压和电流转换速率，实现了超低的噪声和 EMI。电流和电压转换速率可独立设定，以优化开关波形的谐波分量与效率的关系。LT1683EG 能够使高频谐波功率降低 40dB 之多，而效率仅略有下降。 LT1683EG运用了一种专为低噪声拓扑结构而优化的双路输出 (推挽式..

概述LT1680ISW 是一款专为升压型拓扑而优化的高功率、电流模式开关电源控制器。该 IC 驱动一个 N 沟道 MOSFET 开关，适合具高达 60V 输入的 DC/DC 转换器应用。一个高电流栅极驱动输出可处理高达 10,000pF 的栅极电容，从而能实现高功率 DC/DC 转换器的设计。高达 60V 的电流检测共模范围允许电流检测参考于输入电源，因而免除了增设检测消隐电路的需要。 LT168..

概述LT1680IN 是一款专为升压型拓扑而优化的高功率、电流模式开关电源控制器。该 IC 驱动一个 N 沟道 MOSFET 开关，适合具高达 60V 输入的 DC/DC 转换器应用。一个高电流栅极驱动输出可处理高达 10,000pF 的栅极电容，从而能实现高功率 DC/DC 转换器的设计。高达 60V 的电流检测共模范围允许电流检测参考于输入电源，因而免除了增设检测消隐电路的需要。 LT1680..

概述LT1680CSW 是一款专为升压型拓扑而优化的高功率、电流模式开关电源控制器。该 IC 驱动一个 N 沟道 MOSFET 开关，适合具高达 60V 输入的 DC/DC 转换器应用。一个高电流栅极驱动输出可处理高达 10,000pF 的栅极电容，从而能实现高功率 DC/DC 转换器的设计。高达 60V 的电流检测共模范围允许电流检测参考于输入电源，因而免除了增设检测消隐电路的需要。 LT168..

概述LT1680CN 是一款专为升压型拓扑而优化的高功率、电流模式开关电源控制器。该 IC 驱动一个 N 沟道 MOSFET 开关，适合具高达 60V 输入的 DC/DC 转换器应用。一个高电流栅极驱动输出可处理高达 10,000pF 的栅极电容，从而能实现高功率 DC/DC 转换器的设计。高达 60V 的电流检测共模范围允许电流检测参考于输入电源，因而免除了增设检测消隐电路的需要。 LT1680..

概述LT1619ES8 是一款固定频率 PWM 控制器，用于实现具极少外部组件的电流模式 DC/DC 转换器。LT1619ES8采用 1.9V 至 18V 的输入电压工作，并且适合多种电池供电型和分布式 DC/DC 转换器。内部轨至轨 N 沟道 MOSFET 驱动器采用输入 (在非自举模式中) 或依靠输出 (在自举操作中) 供电运作。该驱动器专为在升压、SEPIC、反激式和其他拓扑中驱动一个低压侧..

概述LT1339ISW 是一款高功率同步电流模式开关稳压控制器。该 IC 可驱动双路 N 沟道 MOSFET，以构建一款适合高达 60V 应用中的高功率 DC/DC 转换器的单 IC 解决方案。 LT1339ISW 纳入了可编程平均电流限制功能电路，能提供 DC 负载电流的准确限制，并不受电感器纹波电流的影响。另外，该 IC 还内置了用户可调的斜率补偿功能，以在高达 90% 的占空比条件下实现磁性..