- LTC1326CMS8-2.5发布日期:2018/6/9 点击:
概述The LTC1326CMS8-2.5 are triple supply monitors intended for systems with multiple supply voltages. They provide micropower operation, small size and high accuracy supply monitoring. Tight 0.75% thre..
查看详情 - LTC1326CMS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述The LTC1326CMS8 are triple supply monitors intended for systems with multiple supply voltages. They provide micropower operation, small size and high accuracy supply monitoring. Tight 0.75% threshol..
查看详情 - LTC1235CSW发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC1235CSW提供了用于微处理器复位、电池后备、RAM 写保护、电源故障报警和看门狗定时的完整电源监视和电池控制功能。LTC1235CSW具有 LTC695 的全部特点,外加条件电池后备和外部复位控制功能。当出现超出容限范围的电源条件时,复位输出将被强制进入运行状态,而且,芯片启用输出将对外部存储器实施写保护。RESET 输出保证能够在 VCC 低至 1V 的条件下保持低逻辑电平。外部复..
查看详情 - LTC1232IS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC1232IS8提供了用于微处理器系统的电源监视、看门狗定时和外部复位功能。一个精准的内部电压基准和比较器电路负责监视电源线路。当出现超出容限范围的情况时,复位输出将被强制为运行状态。RST 输出将保证处于逻辑低电平,即使 VCC 低至 1V 也不例外。 LTC1232IS8具有一个内部看门狗定时器,当 Strobe 输入在一个预设超时周期之前未被强制为低电平时,该定时器将强制复位输出至运..
查看详情 - LTC1232CN8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC1232CN8 提供了用于微处理器系统的电源监视、看门狗定时和外部复位功能。一个精准的内部电压基准和比较器电路负责监视电源线路。当出现超出容限范围的情况时,复位输出将被强制为运行状态。RST 输出将保证处于逻辑低电平,即使 VCC 低至 1V 也不例外。 LTC1232CN8 具有一个内部看门狗定时器,当 Strobe 输入在一个预设超时周期之前未被强制为低电平时,该定时器将强制复位输出..
查看详情 - LTC1232CS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC1232CS8 提供了用于微处理器系统的电源监视、看门狗定时和外部复位功能。一个精准的内部电压基准和比较器电路负责监视电源线路。当出现超出容限范围的情况时,复位输出将被强制为运行状态。RST 输出将保证处于逻辑低电平,即使 VCC 低至 1V 也不例外。 LTC1232CS8 具有一个内部看门狗定时器,当 Strobe 输入在一个预设超时周期之前未被强制为低电平时,该定时器将强制复位输出..
查看详情 - LTC4425IDD发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4425IDD是一款恒定电流/恒定电压线性充电器,专为从一个锂离子/锂聚合物电池、一个 USB 端口或一个 2.7V 至 5.5V 电流限制电源对一个两节超级电容器电池组进行充电而设计。该器件起一个理想二极管的作用,并具有一个极低的 50mΩ 接通电阻,从而使其成为高峰值功率/低平均功率应用的合适之选。LTC4425IDD能够以一个恒定充电电流将输出电容器充电至一个外部设置的输出电压 (..
查看详情 - LTC4425EMSE发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4425EMSE是一款恒定电流/恒定电压线性充电器,专为从一个锂离子/锂聚合物电池、一个 USB 端口或一个 2.7V 至 5.5V 电流限制电源对一个两节超级电容器电池组进行充电而设计。该器件起一个理想二极管的作用,并具有一个极低的 50mΩ 接通电阻,从而使其成为高峰值功率/低平均功率应用的合适之选。LTC4425EMSE能够以一个恒定充电电流将输出电容器充电至一个外部设置的输出电压..
查看详情 - LTC4425EDD发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4425EDD 是一款恒定电流/恒定电压线性充电器,专为从一个锂离子/锂聚合物电池、一个 USB 端口或一个 2.7V 至 5.5V 电流限制电源对一个两节超级电容器电池组进行充电而设计。该器件起一个理想二极管的作用,并具有一个极低的 50mΩ 接通电阻,从而使其成为高峰值功率/低平均功率应用的合适之选。LTC4425EDD 能够以一个恒定充电电流将输出电容器充电至一个外部设置的输出电压..
查看详情 - LTC4367IMS8-1发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367IMS8-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..
查看详情 - LTC4367IMS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367IMS8保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367IMS8可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断..
查看详情 - LTC4367IDD-1发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367IDD-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚提..
查看详情 - LTC4367IDD发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367IDD保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367IDD可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..
查看详情 - LTC4367HMS8-1发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367HMS8-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..
查看详情 - LTC4367HMS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367HMS8保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367HMS8可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断..
查看详情 - LTC4367HDD-1发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367HDD-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚提..
查看详情 - LTC4367HDD发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367HDD保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367HDD可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..
查看详情 - LTC4367CMS8-1发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367CMS8-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..
查看详情 - LTC4367CMS8发布日期:2018/6/9 点击:
概述LTC4367CMS8保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367CMS8可承受 –40V 和 100V 之间的电压,并具有 2.5V 至 60V 的工作范围,而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断..
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