概述LTC4367CDD-1保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367可承受 –40V 和 100V 之间的电压，并具有 2.5V 至 60V 的工作范围，而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚提..

概述LTC4367CDD保护电源输入电压可能过高、过低或甚至为负的应用。这是通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压以确保输出处于一个安全工作范围内。LTC4367CDD可承受 –40V 和 100V 之间的电压，并具有 2.5V 至 60V 的工作范围，而在正常工作时功耗仅为 70μA。 两个比较器输入允许使用一个外部电阻分压器的过压 (OV) 和欠压 (UV) 设置点配置。关断引脚..

概述LTC4365ITS8-1可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了过压..

概述LTC4365ITS8可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365ITS8能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了..

概述LTC4365IDDB-1可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了过压..

概述LTC4365IDDB可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365IDDB能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了..

概述LTC4365HTS8-1可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了过压..

概述LTC4365HTS8可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365HTS8能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了..

概述LTC4365HDDB-1可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了过压..

概述LTC4365HDDB可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365HDDB能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供了..

概述LTC4365CTS8可为那些电源输入电压有可能过高、过低、甚至为负值的应用提供保护。该器件通过控制一对外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压来实现这种保护功能，以确保输出处于一个安全的工作范围之内。 LTC4365CTS8 能承受 -40V 至 60V 的电压，并具有一个 2.5V 至 34V 的工作范围，而在正常运作中的电流消耗仅为 125μA。 两个比较器输入采用一个外部阻性分压器提供..

概述LTC4361ITS8-1用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361ITS8-1 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361ITS8-1可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC43..

概述LTC4361IDC-2用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361IDC-2 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361IDC-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC4361I..

概述LTC4361IDC-1用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361IDC-1 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361IDC-1可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC4361I..

概述LTC4361HTS8-2用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361HTS8-2 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361HTS8-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC43..

概述LTC4361HDC-2用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361HDC-2 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361CTS8-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC4361..

概述LTC4361HDC-1用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361HDC-1 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361CTS8-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC4361..

概述LTC4361CTS8-2用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361CTS8-2 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361CTS8-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC43..

概述LTC4361CTS8-1用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361CTS8-1 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361CDC-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC436..

概述LTC4361CDC-2 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间，LTC4361CDC-2 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET，从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中，LTC4361CDC-2可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用，而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。 LTC4361..