概述LT1634CCZ-4.096是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634CCZ-4.096不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634CCZ-4...

概述LT1634CCZ-1.25是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634CCZ-1.25不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634CCZ-1.25..

概述LT1634BIS8-5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BIS8-5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BIS8-5基准能够容易..

概述LT1634BIS8-4.096是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BIS8-4.096不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BIS8..

概述LT1634BIS8-2.5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BIS8-2.5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BIS8-2.5..

概述LT1634BIS8-1.25是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BIS8-1.25不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BIS8-1..

概述LT1634BCS8-5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BCS8-5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BCS8-5基准能够容易..

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概述LT1634BCS8-2.5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BCS8-2.5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BCS8-2.5..

概述LT1634BCS8-1.25是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BCS8-1.25不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BCS8-1..

概述LT1634BCMS8-2.5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634BCMS8-2.5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634BCMS8-..

概述LT1634AIS8-5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634AIS8-5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634AIS8-5基准能够容易..

概述LT1634AIS8-4.096是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634AIS8-4.096不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634AIS8..

概述LT1634AIS8-2.5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634AIS8-2.5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634AIS8-2.5..

概述LT1634AIS8-1.25是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634AIS8-1.25不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634AIS8-1..

概述LT1634ACS8-5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634ACS8-5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634ACS8-5基准能够容易..

概述LT1634ACS8-4.096是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634ACS8-4.096不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634ACS8..

概述LT1634ACS8-2.5是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634ACS8-2.5不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634ACS8-2.5..

概述LT1634ACS8-1.25是一款微功率、精准、并联电压基准。带隙基准采用经修整的精准薄膜电阻，旨在实现 0.05% 的初始电压准确度。改良的曲率校正方法确保了 10ppm/oC 的最大温度漂移。设计、加工和封装工艺的进步保证了 10μA 的工作电流和低温循环迟滞。 LT1634ACS8-1.25不需要使用一个输出补偿电容器，但在采用容性负载时可保持稳定。低动态阻抗使LT1634ACS8-1..

概述LT1461DHS8-5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461DHS8-5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..