概述LT1461DHS8-3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461DHS8-3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CIS8-5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CIS8-5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CIS8-4是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CIS8-4仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CIS8-3.3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CIS8-3.3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

概述LT1461CIS8-2.5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CIS8-2.5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

概述LT1461CIS8-3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CIS8-3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CCS8-5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CCS8-5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CCS8-4是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CCS8-4仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461CCS8-3.3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CCS8-3.3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

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概述LT1461CCS8-2.5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461CCS8-2.5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

概述LT1461BIS8-5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BIS8-5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461BIS8-4是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BIS8-4仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461BIS8-3.3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BIS8-3.3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

概述LT1461BIS8-3是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BIS8-3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461BIS8-2.5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BIS8-2.5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..

概述LT1461BCS8-5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BCS8-5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461BCS8-4是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BCS8-4仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求，例如：..

概述LT1461BCS8-3.3 是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BCS8-3.3仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要..

概述LT1461BCS8-2.5是一个低压差微功率带隙基准系列，它兼具非常高的准确度和低漂移、以及低电源电流和高输出驱动。这些串联基准采用了先进的曲率补偿方法 (以获得低温度系数) 和经修整的精准薄膜电阻器 (用于实现高输出准确度)。 LT1461BCS8-2.5仅吸收 35μA 的电源电流，因而使其成为低功率和便携式应用的理想选择；然而，其 50mA 的高输出驱动电流则使其很适合于较高的功率要求..