概述ADR3412ARJZ为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。 为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件的稳定性和可靠性。 此外，低工作电流（最大70 μA）使这些器件适合用在低功耗设备中，低输出噪..

概述ADR420BRZ为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。 ADR420BRZ具有出色的噪声..

概述ADR441ARMZ是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR441ARMZ电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，ADR441ARMZ非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应..

概述ADR5040BRTZ为高精度分流基准电压源，针对空间受限的应用而设计，采用超小型SC70和SOT-23封装，具有多用途、易于使用的特点，适合众多应用领域。此外还具有低温度漂移、优于0.1%的初始精度和快速建立时间特性。 ADR5040/ADR5041/ADR5043/ADR5044/ADR5045分别提供2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V和5.0 V输出电压，其先进的设计..

概述ADR291GRZ为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291GRZ基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可低至2.8 V。ADR2..

概述ADR441BRZ是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用ADI公司的温度漂移曲线校正和XFET（外加离子注入场效应管）专利技术，ADR44x电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信..

概述ADR3425ARJZ为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有±0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT-23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司的Digi-Trim?专利技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件的稳定性和系统可靠性。此外，低工作电流（最大100 μA）使这些器件适合用在低功耗设..

概述ADR380和ADR381分别是2.048 V和2.500 V精密带隙基准电压源，具有高精度、高稳定性、低功耗和小尺寸特性。利用温度漂移曲率校正专利技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。宽电源电压范围和低功耗特性，使这些器件非常适合3 V至5 V电池供电应用。 ADR380和ADR381ARTZ均为微功耗、低压差(LDV)器件，可利用仅比输出电压高出300 mV的电源提供稳定的输出电压..

概述OP2177ARMZ由极高精度的单通道、双通道和四通道放大器组成，具有极低失调电压和漂移、低输入偏置电流、低噪声及低功耗等特性。 使用1000 pF以上容性负载时输出稳定，无需外部补偿。 电源电压为30 V时，每个放大器的电源电流小于500 μA。 其内置500 Ω串联电阻可以保护输入信号，允许输入信号电平高出电源电压若干伏，并保证无反相。 与以前的极低失调电压、高压放大器不同，OP1177（..

概述AD7862ARZ-2是一款高速、低功耗、双核12位模数转换器（ADC），采用+5 V单电源供电。该器件内置两个4 微秒（μs）逐次逼近型ADC、两个采样保持放大器、一个+2.5 V内部基准电压源和一个高速并行接口。4个模拟输入组成两个通道（A和B），通过A0输入选择通道。每个通道的两个输入（VA1与VA2或VB1与VB2）可同时进行采样和转换，从而保留这两个模拟输入上的信号相对相位信息。该器..

概述AD5412AREZ是低成本、精密、完全集成、12/16位数模转换器(DAC)，内置可编程电流源和可编程电压输出，设计用于满足工业过程控制应用的需要。 输出电流范围可编程设置为4 mA至20 mA、0 mA至20 mA或者超量程的0 mA至24 mA。 此产品的LFCSP版本有一个CAP2引脚，可以将HART信号耦合到AD5412/AD5422的电流输出上。 电压输出由一个独立引脚提供，该引脚..

概述AD5724R/AD5734R/AD5754R分别是四通道、12/14/16位、串行输入、电压输出数模转换器(DAC)，采用+4.5 V至+16.5 V单电源或±4.5 V至±16.5 V双电源供电。标称满量程输出范围可通过软件选择，选项有+5 V、+10 V、+10.8 V、±5 V、±10 V和±10.8 V。同时还内置输出放大器、基准电压缓冲器以及专有上电/省电控制电路。这些器件可保证单..

概述AD5700-1BCPZ是一种单芯片解决方案，设计用作HART? FSK半双工调制解调器，符合HART物理层要求。该器件集成所有必要的滤波、信号检测、调制、解调和信号生成功能，因此所需外部元件极少。 其上集成0.5%精密振荡器，可极大节省电路板空间，因此非常适合主机和从机配置下的线路供电应用。该振荡器的最大电源功耗为285μA，使AD5700-1BCPZ成为实现各通道HART I/O的理想低功..

概述AD5290YRMZ10是目前市场上少数几款高压、高性能、紧凑型数字电位计2之一，可以用作可编程电阻或电阻分压器。它可实现与机械电位计、可变电阻及调整器相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的温度稳定性。 这款器件采用数字控制而不是手动控制，允许灵活布局，并能进行闭环动态控制。 AD5290YRMZ10采用MSOP-10封装，提供10 kΩ、50 kΩ和00 kΩ三种规格。..

概述ADG749BKSZ是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。它采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性， ADG749BKSZ可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新一代DAC和ADC使用。 接通时，ADG749BKSZ的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先..

概述AD8615、AD8616和AD8618分别为单通道、双通道和四通道、轨到轨输入和输出、单电源放大器，具有极低失调电压、宽信号带宽以及低输入电压和电流噪声等特性。这些放大器采用专利调整技术，无需激光调整便可达到出色的精度。所有器件均可采用+2.7 V至+5 V单电源供电。 低失调、低噪声、极低的输入偏置电流和高速度特性相结合，使这些放大器适合各种应用。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传..

概述ADP150AUJZ-3.3是一款超低噪声(9 μV)、低压差线性调节器，采用2.2 V至5.5 V电源供电，最大输出电流为150 mA。驱动150 mA负载时压差仅为105 mV，这种低压差特性不仅可提高效率，而且能使器件在很宽的输入电压范围内工作。 ADP150AUJZ-3.3采用新颖的电路拓扑结构，实现了超低噪声性能，而无需额外的噪声旁路电容，非常适合对噪声敏感的模拟和RF应用。ADP1..

概述ADUC831BSZ是一款完全集成的247 kSPS数据采集系统，在单芯片内集成高性能自校准多通道12位ADC、双通道12位DAC和可编程8位MCU。 微控制器内核为8052，因此每机器周期8051指令集兼容12个内核时钟周期。片内集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存储器。片内同时集成4 kB非易失性Flash/EE数据存储器、256字节RAM和2 kB扩展RAM。 ADUC831B..

概述ADUM5401ARWZ 为四通道数字隔离器，集成isoPower?隔离式DC/DC转换器。该DC/DC转换器基于ADI公司的iCoupler?技术，采用5.0 V（5.0 V输入电源）或3.3 V电压（3.3 V电源）时可提供高达500 mW的稳压隔离功率，从而在低功耗隔离设计中无需另外使用隔离式DC/DC转换器。利用iCoupler芯片级变压器技术，能够同时隔离逻辑信号和DC/DC转换器的..

概述ADUM5401WCRWZ为四通道数字隔离器，集成isoPower?隔离式DC/DC转换器。该DC/DC转换器基于ADI公司的iCoupler?技术，采用5.0 V（5.0 V输入电源）或3.3 V电压（3.3 V电源）时可提供高达500 mW的稳压隔离功率，从而在低功耗隔离设计中无需另外使用隔离式DC/DC转换器。 利用iCoupler芯片级变压器技术，能够同时隔离逻辑信号和DC/DC转换器..