概述AD627ARZ是一款集成式微功耗仪表放大器，提供轨到轨输出摆幅，采用单电源或双电源（+2.2 V至±18 V）供电。它提供出色的交流与直流性能，工作时的最大功耗仅为85 μA。 AD627ARZ具有出色的灵活性，可通过一个外部电阻设置增益，采用8引脚的工业标准引脚排列配置。不使用外部电阻时，AD627ARZ的增益为5；使用外部电阻时，可设置高达1000的增益。 AD627ARZ具有宽电源电压..

概述ADP125ARHZ为低静态电流、低压差线性调节器，采用2.3 V至5.5 V输入电压工作，提供最高达500 mA的输出电流。驱动500 mA负载时压差仅为130 mV；低压差特性不仅可提高功效，而且能使器件在较宽的输入电压范围工作。 500 mA负载时静态电流低至210 μA，因此ADP124/ADP125非常适合电池供电的便携式设备使用。ADP124可提供1.75 V至3.3 V范围内的3..

概述AD8615、AD8616ARMZ和AD8618分别为单通道、双通道和四通道、轨到轨输入和输出、单电源放大器，具有极低失调电压、宽信号带宽以及低输入电压和电流噪声等特性。这些放大器采用专利调整技术，无需激光调整便可达到出色的精度。所有器件均可采用+2.7 V至+5 V单电源供电。 低失调、低噪声、极低的输入偏置电流和高速度特性相结合，使这些放大器适合各种应用。滤波器、积分器、光电二极管放大器和..

概述ADR431ARMZ是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR431ARMZ电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR431..

概述ADR431BRZ是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。 与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电..

概述ADG1636BRUZ是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。 这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和..

概述AD7682/AD7689是4/8通道、16位、电荷再分配逐次逼近寄存器(SAR)型模数转换器（ADC），采用单电源VDD供电。 AD7689BCPZ拥有多通道、低功耗数据采集系统所需的所有组成部分，包括：无失码的真16位SAR ADC；用于将输入配置为单端输入（使用或不使用参考地）、差分输入或双极性输入的4通道(AD7682)或8通道(AD7689)低串扰多路复用器；内部低漂移基准源（可以选..

概述AD8420ARMZ是一款低成本、宽电源电压范围的放大器产品，用两个电阻可将增益设为1至1000之间的任意数值。该器件经过优化，用于在存在大共模信号时放大小差分电压。 AD8420ARMZ基于一种电流模式架构，具有出色的输入共模范围。与常规仪表放大器不同，AD8420无需双电源即可轻松放大等于或略低于地电压的信号。AD8420拥有一个全范围轨到轨输出，其输出电压完全独立于AD8420ARMZ既..

概述AD8422ARZ是一款精密、低功耗、低噪声轨到轨仪表放大器，具有业界最佳的每单位微安性能。AD8422以超低失真性能处理信号，在整个输出范围内负载不影响性能。 AD8422ARZ是业界标准AD620发展到第三代的产品。AD8422ARMZ采用最新的处理技术和设计技巧，比历代产品具有更高的动态范围和更低的误差，同时功耗不足三分之一。AD8422ARMZ采用与AD8221相同的引脚排列。 AD8..

概述AD8422ARMZ是一款精密、低功耗、低噪声轨到轨仪表放大器，具有业界最佳的每单位微安性能。AD8422以超低失真性能处理信号，在整个输出范围内负载不影响性能。 AD8422ARMZ是业界标准AD620发展到第三代的产品。AD8422ARMZ采用最新的处理技术和设计技巧，比历代产品具有更高的动态范围和更低的误差，同时功耗不足三分之一。AD8422ARMZ采用与AD8221相同的引脚排列。 A..

概述ADR444BRZ是XFET?系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR44x电压随温度变化的非线性度大幅降至最小。 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5 V)。这些特性相结合，使ADR44x系列非常适合高端数据采集系统、光纤网络和医疗应用中的精..

概述AD8615、AD8616和AD8618分别为单通道、双通道和四通道、轨到轨输入和输出、单电源放大器，具有极低失调电压、宽信号带宽以及低输入电压和电流噪声等特性。这些放大器采用专利调整技术，无需激光调整便可达到出色的精度。所有器件均可采用+2.7 V至+5 V单电源供电。 低失调、低噪声、极低的输入偏置电流和高速度特性相结合，使这些放大器适合各种应用。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传..

概述ADP3300ARTZ-3-RL7属于ADP330x系列精密低压差anyCAP?电压稳压器。ADP3300ARTZ-3-RL7相对于传统LDO的突出之处在于其新颖的架构和增强的工艺技术。它采用专利设计，仅需一个0.47 μF输出电容便可保持稳定。这款器件采用任何电容均可实现稳定工作，包括面向空间受限应用的陶瓷电容（MLCC），不论其ESR（等效串联电阻）值为多少 ADP3300ARTZ-3-R..

AD790JRZ是一款快速(45 ns)、精密电压比较器，具有丰富多样的功能特性，且易于使用。该器件可以采用+5 V单电源或±15 V双电源供电。单电源模式下，其输入可以以地为参考，这是其它比较器所不具备的特性。双电源模式下，它拥有处理输入引脚上最大15 V差分电压的独特能力，从而可以简化与大幅度动态信号的接口。 AD790JRZ采用ADI互补双极性(CB)工艺制造，具有快速响应时间与出色的输入电..

概述AD5290YRMZ100是目前市场上少数几款高压、高性能、紧凑型数字电位计2之一，可以用作可编程电阻或电阻分压器。它可实现与机械电位计、可变电阻及调整器相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的温度稳定性。这款器件采用数字控制而不是手动控制，允许灵活布局，并能进行闭环动态控制。 AD5290YRMZ100采用MSOP-10封装，提供10 kΩ、50 kΩ和00 kΩ三种规格..

概述AD7705BRZ为完整16位、低成本、Σ-Δ型ADC，适合直流和低频交流测量应用。其具有低功耗（3 V时最大值为1 mW）特性，因而可用于环路供电、电池供电或本地供电的应用中。片内可编程增益放大器提供从1至128的增益设置，无需使用外部信号调理硬件便可接受低电平和高电平模拟输入。 AD7705BRZ拥有两个差分通道，而AD7706则拥有一个差分通道和两个伪差分通道。在定制比率应用器件时，差分..

概述ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366分别是2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V、5.0 V和3.3 V精密带隙基准电压源 ， 具有低功耗、高精度和小尺寸特性 。 该系列基准电压源利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术 ， 可在TSOT封装中实现9 ppm/°C的低温度漂移特性。 ADR366AUJZ为微功耗、低压差基准电压源，可利用..

概述ADUM1402ARWZ是采用2/2通道方向性的四通道数字隔离器，采用ADI公司iCoupler?技术。 该隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler 器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。 简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递..

概述ADUM1402BRWZ是采用2/2通道方向性的四通道数字隔离器，采用ADI公司iCoupler?技术。 该隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler 器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。 简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比不确定、非线性传递..

概述ADF4360-8BCPZ是一款集成式整数N分频频率合成器和电压控制振荡器（VCO），中心频率由外部电感设置，频率范围为65 MHz至400 MHz。所有片内寄存器均通过简单的三线式接口进行控制。该器件采用3.0 V至3.6 V电源供电，不用时可以关断。 特点输出频率范围：65 MHz至400 MHz电源电压范围：3.0 V至3.6 V1.8 V 逻辑兼容整数N分频频率合成器可编程的输出功率三..