概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有±0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT-23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司的Digi-Trim?专利技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有±0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT-23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司的Digi-Trim?专利技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度基准电压源，具有± 0.1%的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，利用ADI公司专有的Digi-Trim?技术对输出电压和温度系数进行了数字调整。 低输出电压迟滞和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件..

概述 ADR293是一款低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?（外加离子注入场效应管）基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR293串联基准电压源可利用6.0 V电源提供稳定、精确的输出电压。最大静态电流仅..

概述 ADR293是一款低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?（外加离子注入场效应管）基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR293串联基准电压源可利用6.0 V电源提供稳定、精确的输出电压。最大静态电流仅..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..

概述 ADR291和ADR292均为低噪声、微功耗、精密基准电压源，采用XFET?基准电压源电路。与传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，全新的XFET架构在性能方面有明显改进。具体包括：工作电流相同时，电压噪声输出仅为带隙基准电压源的1/4；极低的超线性温度漂移；低热滞特性；以及出色的长期稳定性。 ADR291/ADR292系列基准电压源可提供稳定、精确的输出电压，ADR291的电源电压可..