概述 HMC6981是一款四级GaAs pHEMT MMIC功率放大器，片上集成温度补偿功率检波器，工作频率范围为15至20 GHz。 该放大器的增益为26 dB，饱和输出功率为+34.5 dBm，PAE为25%，电源电压为+6V。 HMC6981提供+43.5 dBm的出色输出IP3性能，非常适合线性应用，比如高容量点对点或点对多点无线电或SATCOM应用——这类应用要求具有+34.5 dBm的..

概述 HMC1197是一款集成小数N分频PLL和VCO RFIC的低成本、高线性度直接正交调制器，非常适合0.1至4.0 GHz的数字调制应用，包括：蜂窝/3G、LTE/WiMAX/4G、宽带无线接入和ISM电路。HMC1197 RFIC采用紧凑型7x7 mm (LP7) SMT QFN封装，只需极少的外部元件，为更复杂的双上变频架构提供为更复杂的双上变频架构提供了一种低成本替代解决方案。 RF输..

概述 HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器，采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益，17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。 它具有IF1和IF2混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 I/Q混频器拓扑结构可以减少无用边..

概述 HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3..

概述 HMC1055是一款低成本、砷化镓(GaAs)、单刀单掷(SPST)开关，采用LFCSP表贴封装。 该开关具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶交调性能，非常适合0.5 GHz至4.0 GHz范围内的许多蜂窝和无线基础设施应用。 HMC1055在极低直流下采用单正电源电压和单正控制电压。 RF1反射断开，而RF2在关断状态下端接至50 Ω。 特点 低插入损耗： 0.7 dB（典型值，2.0 G..

概述 HMC1013LP4E是一款连续检波对数视频放大器，工作频率范围为0.5至18.5 GHz。 HMC1013LP4E提供67 dB的对数范围。 该器件提供5/15 ns的典型快速上升/下降时间，延迟时间仅10 ns。 HMC1013LP4E对数视频输出斜率为15 mV/dB（典型值）。 最大恢复时间不到40 ns。 HMC1013LP4E采用高度紧凑的4x4 mm SMT塑料封装，非常适合高..

概述 HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关，采用8引脚基极接地MSOP封装。 该设计经过优化提供中低功耗应用所需的高隔离度、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下，RF1和RF2为非反射式 特点 高隔离度： >45 dB 正控制电压： 0/+5V 非反射设计 小型封装： MSO..

概述 HMC960LP4E是一款数字可编程双通道可变增益放大器。 该器件支持0到40 dB分立式增益步进，步长为精确的0.5 dB。 该器件采用无毛刺架构，具有出色的平滑增益跃迁性能。 器件的匹配增益路径提供宽信号带宽内出色的正交平衡。 HMC960LP4E提供SPI可编程输入阻抗（默认为100Ω差分或400Ω差分）。 HMC960LP4E的外部控制共模输出特性使其具有灵活的输出接口，能与信号路径..

概述 HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器，使用GaAs pHEMT技术，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 Fo和3Fo隔离大于20 dBc（19 GHz）。 HMC942LP4E适合用于点对点和VSAT无线电的LO倍频链，相比传统方案可实现更少的器件数。 特点 高输出功率： +21..

概述 HMC799LP3E是一款DC至700 MHz跨阻放大器，设计用于采用光电转换模式工作的光电激光传感器应用、FDDI接收机和接收机系统。 该放大器提供的单端输出电压与其输入端口施加的电流成正比。 该电流通常由光电二极管提供。 HMC799LP3E采用+5V单电源工作，具有极低的输入端折合噪声和超过65 dB的极高电气输入动态范围。 10 k?或80 dB-?跨阻增益在较高数据速率下提供极高的..

概述 HMC639ST89(E)是一款GaAs PHEMT、高线性度、低噪声、宽带增益模块放大器，工作频率范围为0.2至4.0 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω增益级、PA前置驱动器、低噪声放大器或增益模块，输出功率高达+22 dBm。 这款多功能增益模块放大器采用+5V单电源供电，无需外部匹配元器件。 该放大器具有内部匹配拓扑，能与几乎一切印刷电路板材料随时对接，..

概述 HMC612LP4(E)对数检波器/控制器适合用来将频率范围为50 Hz至3 GHz的输入信号转换为输出端成比例的直流电压。 HMC612LP4(E)采用连续压缩技术，在宽输入频率范围内具有极高的动态范围和转换精度。 随着输入信号增加，连续放大器逐渐进入饱和状态，从而生成对数函数近似值。 对一系列平方律检波器输出求和，转换至电压域并缓冲，以驱动LOGOUT输出。 在检测模式下，LOGOUT引..

概述 HMC631LP3和HMC631LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC，可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用来连续改变RF信号的相位和幅度，最多分别达到360°和40 dB，同时支持200 MHz的3 dB调制带宽。 输出IP3为+26 dBm，输出噪底为-160 dBm/Hz（最大增益设置），因此IP3/噪底..

概述 HMC735是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有4分频频率输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+17 dBm（典型值）。 不使用时可禁用预分频器功能，以降低功耗。 该压控振荡器采用无铅QFN 5x5 mm表贴封装，同时无需..

概述 HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成谐振器、负电阻器件、变容二极管，并具有半频和四分频输出。 由于振荡器采用单芯片结构，因此VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，功率输出典型值为+9 dBm。 不使用时可禁用预分频器和RF/2功能，以降低功耗。 压控振荡器采用..

概述 HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+10 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振..

概述 HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+3V电源电压时，输出功率为+7 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器功能以节省电流。 该电压控制振荡..

概述 HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 如果不需要，可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该电压..

概述 HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源时，输出功率为+15 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装，无需外部匹配元件。 特点 ..

概述 HMC487LP5(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC 2瓦特功率放大器，采用无引脚5x5 mm表面贴装封装。 该放大器在9至12 GHz的频率下工作，提供20 dB的增益、+33 dBm的饱和功率和20%的PAE，电源电压为+7V。 输出IP3为+36 dBm（典型值）。 RF I/O为隔直端口，并匹配至50Ω，使用方便。 HMC487LP5(E)无需线焊，允许使用表面贴装..