概述 AD608提供一个低功耗、低失真、低噪声混频器和一个采用逐次检测技术的完整单芯片对数/限幅放大器。此外，AD608提供80 dB动态范围的高速接收信号强度指示(RSSI)输出以及硬限幅输出。RSSI输出来自一个二极点后解调低通滤波器，提供0.2 V至1.8 V的可加载输出电压。AD608采用2.7 V至5.5 V单电源供电，3 V工作电压下的典型功耗为21 mW。 RF和本振(LO)带宽均超..

概述 HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。 当用作下变频器（3.5至8 GHz）和上变频器（4.5至8 GHz）时，该混频器可正常工作。 低转换损耗、高隔离和宽IF带宽使该混频器非常适合各种Rx和..

概述 The HMC412BMS8GE is a passive double-balanced mixer that operates from 8 to 16 GHz. The HMC412BMS8GE operates with LO drive levels between 9 to 15 dBm and provides 8 dB of conversion loss across th..

概述 HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化。 HMC-MDB171 I/Q MMIC混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常..

概述 HMC1106是一款双平衡混频器，可作为上变频器或下变频器，IF端口范围为DC至24 GHz，LO端口为20至50 GHz，RF端口为15至36 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 特点 无源：..

概述 HMC557A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体封装。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。 HMC557A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的H..

概述 The HMC686LP4(E) is a high dynamic range passive MMIC mixer with integrated LO amplifier in a 4x4 SMT QFN package covering 0.7 to 1.1 GHz. Excellent input IP3 performance of +34 dBm for down conver..

概述 HMC685LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+32 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+27 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为8 dB。 DC至500 MHz的IF频率响应能够..

概述 HMC684LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+30 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+25 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为7 dB。 DC至450 MHz的IF频率响应能够..

概述 HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。 当用作下变频器（3.5至8 GHz）和上变频器（4.5至8 GHz）时，该混频器可正常工作。 低转换损耗、高隔离和宽IF带宽使该混频器非常适合各种Rx和..

概述 HMC-C015是一款通用型双平衡混频器，封装在微型密封模块中，可用作24至38 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC-C015采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。 混频器采用的LO驱动电平范围为+11 dBm至+15 dBm，不需要直流偏置。 HMC-C015还可用作双相调制器/解调器或相位比较器。 该模块带有可移除的..

概述 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且..

概述 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器，RF端口为37至46.5 GHz，IF端口范围为DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技术，提供20 dB的4LO至RF出色隔离性能，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V)两级设计，所需LO功率仅为-1 dBm。 RF和LO端口为隔直端口并匹配至..

概述 HMC1081是一款双平衡混频器。 它可用作上变频器或下变频器，IF端口频率范围为DC至26 GHz，RF端口频率范围为50至75 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 特点 无源： 无需直流偏置..

概述 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 特点 ..

概述 HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3..

概述 HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1056LP4BE..

概述 HMC-C051是一款通用型双平衡混频器，封装在微型密封模块中，可用作11至20 GHz频率范围的上变频器或下变频器。 这款混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元器件或匹配电路。 HMC-C051采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。 该模块带有可移除的2.92 mm（RF和LO）和SMA (IF)连接器，这些连接器可以拆卸，以便将模块I/O引脚直接..

概述 HMC-C049是一款双平衡混频器，在7至14 GHz的频率下工作，提供低转换损耗、高隔离和宽IF带宽。 这款混频器不需要直流偏置，可在+9 dBm的LO功率水平下工作。 封装采用密封模块，其装配和测试符合MIL-883-STD要求。 该产品的标准配置包括三个可现场更换的SMA插口连接器，还可与SMP盲插连接器互换，或者可以拆卸，以便将I/O引脚直接连接到微带或共面电路。 特点 无源双平衡拓..

概述 HMC-C041是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。 这个基于MMIC的模块可以替代混合型I/Q混频器和单边带变频器组件，而且更加可靠。 该模块带有可移除的SMA连接器..