概述 HMC494LP3(E)是一款低噪声8分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用无引脚3x3 mm QFN表面贴装塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至18 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-150 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪声性能。 特点 超低SSB相位噪声： -150 dBc/Hz 很宽的带宽..

概述 HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+6 dBm（典型值），电源电压为5V，在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面，对无用基波和次谐波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-136 dBc/Hz，有助于用户保持良好的系统噪..

概述 HMC466LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在6.1至6.72 GHz的频率下工作，由于振荡器的单芯片结构，其相位噪声性能在不同的温度、冲击、振动和工艺条件下非常出色。 功率输出为4.5 dBm（典型值），采用3V单电源（31mA）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 ..

概述 HMC384LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击、振动和工艺范围内尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为3.5 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。 特点 Pout: +3.5 dBm ..

概述 HMC408LP3(E)是一款5.1 - 5.9 GHz高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)功率放大器MMIC，提供+30 dBm P1dB。 该放大器提供20 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V (27% PAE)。 输入内部匹配至50 Ohms，输出需极少的外部元件。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 该放大器采用低成本、3x3 m..

概述 HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级，或用于针对窄带应用优化的外部匹配。 Vcc偏置为+5V，HMC313(E)提供17 dB的增益和+15 dBm的饱和功率，同时所需电流仅为50 mA。 “应用笔记”部分提供的“HMC313偏置和阻抗匹配技术”应用笔记描述了窄带工作建议。 ..

概述 HMC535LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC PLO。 由于振荡器的单芯片结构，PLO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时，输出功率为+9 dBm（典型值）。 所有功能（VCO、运算放大器、PFD、预分频器）完全集成，同时允许使用片外客户特定环路元件。 PLO MMIC接受230至240 MHz范围内的单端或差分..

概述 HMC409LP4(E)是一款高效率GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为3.3至3.8 GHz。 该放大器采用低成本、无铅SMT封装。 它采用最少的外部元件，提供31 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V。 功率控制(Vpd)可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+22 dBm OFDM输出功率(64 QAM, 54 Mbps)，HM..

概述 HMC739是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 该器件集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和16分频预分频器。 由于振荡器采用单芯片结构，因此VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用5V电源电压时，输出功率为+8 dBm（典型值）。 该电压控制振荡器采用低成本无铅QFN 4x4 mm表面贴装封装。 特点 Pout: +8 dBm 相位..

概述 HMC977LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA，后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出，所需外部90°混..

概述 HMC794LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪声可编程分频器，采用3x3mm无引脚表贴封装。 在200 MHz至2 GHz 输入频率范围内，该电路可编程并采用N = 1至N = 4分频。 高电平输出功率（高达10 dBm）、极低SSB相位噪声和50%占空比使该器件非常适合低噪声时钟产生、LO生成和LO驱动应用。 可配置的偏置控制可将功耗降低20%。 特点 低噪底： -163 dBc/H..

概述 HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+38 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+26 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为8 dB（典型值）。 高达300 MHz的IF频率响应可满足G..

概述 HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+40 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+25 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为7.5 dB（典型值）。 高达250 MHz的IF频率响应可满..

概述 HMC960LP4E是一款数字可编程双通道可变增益放大器。 该器件支持0到40 dB分立式增益步进，步长为精确的0.5 dB。 该器件采用无毛刺架构，具有出色的平滑增益跃迁性能。 器件的匹配增益路径提供宽信号带宽内出色的正交平衡。 HMC960LP4E提供SPI可编程输入阻抗（默认为100Ω差分或400Ω差分）。 HMC960LP4E的外部控制共模输出特性使其具有灵活的输出接口，能与信号路径..

概述 HMC1097LP4E是一款低噪声、高线性度直接正交调制器RFIC，适合0.1至6.0 GHz数字调制应用，包括：蜂窝/3G、WiMAX/4G、宽带无线接入和ISM电路。 RFIC采用紧凑型4x4 mm (LP4) SMT QFN封装，只需极少的外部元件，为更复杂的双上变频架构提供了一种低成本替代解决方案。 RF输出端口为单端型并匹配至50 Ohms，无需外部元件。 LO需-6至+6 dBm..

概述 HMC1030LP5E是一款双通道RMS功率检波器，专门针对高精度RF功率信号测量和控制应用而设计，工作频率范围为0.1至3.9 GHz。 该器件可采用均方根值为-60 dBm至+10 dBm（以50 Ohm为基准）的输入信号，具有大波峰因数，且精度不会下降。 在70 dB的宽动态范围内，每个均方根检波通道的额定频率范围最高可达3.9 GHz。 HMC1030LP5E采用+5V单电源供电，在..

概述 HMC1020LP4E功率检波器设计用于RF功率测量和频率高达3.9 GHz.的控制应用。 该检波器提供精确的任何宽带、单端RF/IF输入信号均方根表示。 输出为温度补偿式、单调表示实信号功率，采用72 dB的输入检测范围测量。 HMC1020LP4E极其适用于宽带宽、宽动态范围应用，这些应用需重复测量实信号功率，尤其当RF/IF波形和/或波峰因数随时间变化时。 HMC1020LP4E集成带..

概述 HMC741是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级，也可用作PA或LO驱动器，输出功率高达+18.5 dBm。 200 MHz时，HMC741具有20 dB的增益和+42 dBm的输出IP3，并可直接采用+5V电源供电。 HMC741在整个温度范..

概述 HMC753是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器，采用无引脚4x4 mm塑料表贴封装。 该放大器的工作频率范围为1至11 GHz，提供高达16.5 dB的小信号增益、1.5 dB噪声系数及+30 dBm输出IP3，同时采用+5V电源的功耗仅55 mA。 高达+18 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC753还具有隔直的I/O，内部匹配5..

概述 HMC431LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO，带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构，VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用3V电源电压时，输出功率为2 dBm（典型值）。 电压控制振荡器采用低成本无引脚QFN 4x4 mm表贴封装。 特点 Pout：+2 dBm 相位噪声：-10..