概述LTC3899HUHF 是一款高性能三路输出 (降压 / 降压 / 升压) DC/DC 开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。LTC3899HUHF 在一个 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围内运作。当从升压转换器的输出或另一个辅助电源对其施加偏置时，LTC3899HUHF 能..

概述LTC3899HFE 是一款高性能三路输出 (降压 / 降压 / 升压) DC/DC 开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。LTC3899HFE 在一个 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围内运作。当从升压转换器的输出或另一个辅助电源对其施加偏置时，LTC3899HFE 能在启动..

概述LTC3899EUHF 是一款高性能三路输出 (降压 / 降压 / 升压) DC/DC 开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。LTC3899EUHF 在一个 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围内运作。当从升压转换器的输出或另一个辅助电源对其施加偏置时，LTC3899EUHF 能..

概述LTC3899EFE 是一款高性能三路输出 (降压 / 降压 / 升压) DC/DC 开关稳压器控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。LTC3899EFE 在一个 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围内运作。当从升压转换器的输出或另一个辅助电源对其施加偏置时，LTC3899EFE 能在启动..

概述LTC3896IFE 是一款高性能负输出 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件把一个宽变化范围正输入电压源转换为一个可低于地电位达 60V 的稳定负输出。输入能够采用一个低至 4V 和高达 140V – |VOUT–| 的电压工作。 LTC3896IFE 包含真正参考于地的 RUN、PLLIN 和 PGOOD 引脚，因而免除了增设外部分立式电平..

概述LTC3896HFE 是一款高性能负输出 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件把一个宽变化范围正输入电压源转换为一个可低于地电位达 60V 的稳定负输出。输入能够采用一个低至 4V 和高达 140V – |VOUT–| 的电压工作。 LTC3896HFE 包含真正参考于地的 RUN、PLLIN 和 PGOOD 引脚，因而免除了增设外部分立式电平..

概述LTC3896EFE 是一款高性能负输出 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件把一个宽变化范围正输入电压源转换为一个可低于地电位达 60V 的稳定负输出。输入能够采用一个低至 4V 和高达 140V – |VOUT–| 的电压工作。 LTC3896EFE 包含真正参考于地的 RUN、PLLIN 和 PGOOD 引脚，因而免除了增设外部分立式电平..

概述LTC3895IFE 是一款高性能、降压型开关稳压器 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级，可采用高达 140V 的输入电压运作。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，因而允许使用逻辑或标准电平 FET 以最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的集成型开关免除了增..

概述LTC3895IFE 是一款高性能、降压型开关稳压器 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级，可采用高达 140V 的输入电压运作。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，因而允许使用逻辑或标准电平 FET 以最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的集成型开关免除了增..

概述LTC3895HFE 是一款高性能、降压型开关稳压器 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级，可采用高达 140V 的输入电压运作。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，因而允许使用逻辑或标准电平 FET 以最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的集成型开关免除了增..

概述LTC3895EFE 是一款高性能、降压型开关稳压器 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级，可采用高达 140V 的输入电压运作。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，因而允许使用逻辑或标准电平 FET 以最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的集成型开关免除了增..

概述LTC3892IUH 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围..

概述LTC3892IFE-1 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源..

概述LTC3892HUH-2 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源..

概述LTC3892HUH 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围..

概述LTC3892HFE-1 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源..

概述LTC3892EUH-2 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源..

概述LTC3892EUH 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源范围..

概述LTC3892EFE-1 是一款高性能、双通道降压型 DC/DC 开关稳压控制器，用于驱动全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。通过使两个控制器输出级异相运作，可最大限度地降低功率损耗和噪声。 栅极驱动电压可设置在 5V 至 10V 的范围内，以允许使用逻辑或标准电平 FET 并最大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。 4.5V 至 60V 的宽输入电源..

概述LTC3891MPUDC 是一款高性能、降压型开关稳压器 DC/DC 控制器，用于驱动一个全 N 沟道同步功率 MOSFET 级。该器件运用了一种恒定频率电流模式架构，因而可提供一个高达 750kHz 的可锁相频率。 50μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统中的工作寿命。OPTI-LOOP? 补偿的运用允许在一个很宽的输出电容和 ESR 数值范围内对瞬态响应进行优化。LTC3891MPU..